炭化ケイ素(SiC)半導体を用いたパワーエレクトロニクスデバイスの物性評価、デバイス化のためのプロセス技術に関する研究を行っています。2010年代前半まで、地球温暖化の抑止に関わる次世代自動車関連プロジェクトと、福島第一原発事故の復旧を促す耐放射線性エレクトロニクス開発プロジェクトを推進して来ました。2010年代後半からはこれらに加え、SiC半導体を主として用いた“単一光子源”や“量子スピンデバイス”への応用研究を展開しています。室温でも動作する小型かつポータブルな量子コンピュータ、量子センサ、ならびに実用的な量子情報通信網や量子イメージング技術を開発していきます。

研究テーマは大きく分けて以下の通りです。

1. SiC半導体中の単一光子源/スピンを利用した量子効果デバイスの創成
2. 量子光学に基づく超解像顕微鏡の開発・生体組織の観察
3. SiC/酸化膜界面の光学的・電気的評価、熱酸化メカニズムの解明
4. 超耐放射線性半導体デバイスの開発

当研究室は他の研究機関（量子科学技術研究開発機構、産業技術総合研究所、東京工業大学、埼玉医科大学等）との共同研究を積極的に推進しています。大学院進学や学会発表を目指している諸君にお勧めします。