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論文
- Yutaro Miyano, Ryosuke Asafuji, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
Photoluminescence study of oxidation-induced faults in 4H-SiC epilayers
AIP Advances, Vol. 5, a.n. 127116 (2015).
PDF(5MB)
- Tomoya Suzuki, Kazuki Osada, Shuhei Yagi, Shunya Naitoh, Yasushi Shoji, Yasuto Hijikata, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi
Molecular beam epitaxial growth of intermediate-band materials based on GaAs:N δ-doped superlattices
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 54, a.n. 08KA07 (2015).
- Kazuki Osada, Tomoya Suzuki, Shuhei Yagi, Shunya Naitoh, Yasushi Shoji, Yasuto Hijikata, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi
Control of intermediate-band configuration in GaAs:N δ-doped superlattice
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 54, a.n. 08KA04 (2015).
- Yasuto Hijikata, Ryosuke Asafuji, Ryotaro Konno, Yurie Akasaka, Ryo Shinoda
Si and C emission into the oxide layer during the oxidation of silicon carbide and its influence on the oxidation rate
AIP Advances, Vol. 5, a.n. 067128 (2015).
PDF(0.8MB)
- R. G. Kim, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 54, a.n. 051201 (2015).
- D. Goto, Y. Hijikata, S. Yagi, and H. Yaguchi
Differences in SiC thermal oxidation process between crystalline surface orientations observed by in-situ spectroscopic ellipsometry
J. Appl. Phys., Vol. 117, a.n. 095306 (2015).
PDF(1.3MB)
- T. Yokoseki, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
and T. Ohshima
Recovery of the Electrical Characteristics of SiC MOSFETs Irradiated with Gamma-rays by Thermal Treatments
Mater. Sci. Forum, Vols. 821-823, pp. 705-708 (2015).
PDF(0.5MB)
- Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
Mater. Sci. Forum, Vols. 821-823, pp. 327-330 (2015).
PDF(0.3MB)
- D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
Mater. Sci. Forum, Vols. 821-823, pp. 371-374 (2015).
PDF(0.9MB)
- Shuhei Yagi, Shunsuke Noguchi, Yasuto Hijikata, Shigeki Kuboya, Kentaro Onabe, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi
"Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N delta-doped superlattices"
Appl. Phys. Express, Vol. 7, a.n. 102301 (2014).
- Wataru Okubo, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Kentaro Onabe, and Hiroyuki Yaguchi
"Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys"
Phys. Status Solidi A, Vol. 211, pp.752-755 (2014).
- Yasuto Hijikata, Yurie Akasaka, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
"Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide"
Mater. Sci. Forum Vols. 778-780, pp. 553-556 (2014).
PDF(1.2MB)
- K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
"Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs"
AIP Conference Prodeedings Vol. 1566, 538-539 (2013). DOI: 10.1063/1.4848523
- S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
"Stacked structure of self-organized cubic InN nano-dots grown by molecular beam epitaxy"
Phys. Status Solidi C, Vol. 10, pp.1545-1548 (2013).
- S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, and H. Yaguchi
"Conversion Efficiency of Intermediate Band Solar Cells with GaAs:N Delta-Doped Superlattices"
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 52, a.n.102302 (2013).
- S. Noguchi, S. Yagi, D. Sato, Y. Hijikata, K. Onabe, S. Kuboya, and H. Yaguchi
"Analysis of Electronic Structures of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency
Intermediate Band Solar Cells"
IEEE J. PHOTOVOLTAICS, Vol. 3, pp.1287-1291 (2013).
- J. Suzuki, M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
"RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN"
Journal of Crystal Growth Vol. 378, pp. 454-458 (2013).
- R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuobya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi
"Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001)"
Journal of Crystal Growth Vol. 378, pp. 85-87 (2013).
- Yasuto Hijikata, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
"Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model"
Mater. Sci. Forum Vols. 740-742, pp. 833-836 (2013).
PDF(360kB)
- Kengo Takamiya, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita, Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama, and Hiroyuki Yaguchi
"Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in Nitrogen δ-Doped GaAs"
Appl. Phys. Express Vol. 5, a.n. 111201 (2012).
- Keiko Kouda, Yasuto Hijikata, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi
"Oxygen partial pressure dependence of the SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry"
J. Appl. Phys. Vol. 112, a.n. 024502 (2012).
PDF(1MB)
- Hikaru Yamagata, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
"Micro-Photoluminescence study on the influence of oxidation on stacking faults in 4H-SiC epilayers"
Appl. Phys. Express Vol. 5, a.n. 051302 (2012).
PDF(1MB)
- Misao Orihara, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
"RF-MBE growth of semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)"
Phys. Status Solidi C Vol. 9, pp. 658-661 (2012).
- Kengo Takamiya, Yuta Endo, Toshiyuki Fukushima, Shuhei Yagi,
Yasuto Hijikata, Toshimitsu Mochizuki, Masahiro Yoshita,
Hidefumi Akiyama, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama
and Hiroyuki Yaguchi
"Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide"
Mater. Sci. Forum Vols. 706-7009, pp. 2916-2921 (2012).
- Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
"Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation"
Mater. Sci. Forum Vols. 679-680, pp. 429-432 (2011).
PDF(800kB)
国際会議
- Y. Hijikata, S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Yokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and T. Ohshima
A Development of Super Radiation-Hardened Power Electronics Using Silicon Carbide Semiconductors
-Toward MGy-Class Radiation Resistivity-
The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA), (12-4C) (Kiryu) 2015.11.12.
- A. Takeyama, T. Matsuda, T. Yokoseki, S. Mitomo, K. Murata, T. Makino, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata, and T. Ohshima
Effect of Humidity and temperature on the Radiation Response of SiC MOSFETs
The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA), (P6-11) (Kiryu) 2015.11.12.
- K. Murata, S. Mitomo, T. Matsuda, T. Yokoseki, T. Makino, H. Abe, S. Onoda, T. Ohshima, A. Takeyama, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and Y. Hijikata
Effect of Gate Bias on Radiation Response of SiC MOSFETs
The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA), (P6-12) (Kiryu) 2015.11.12.
- S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Yokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and Y. Hijikata
Difference by the Oxide Fabrication Process of the Gamma-ray Irradiation Effect on SiC-MOSFETs
The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA), (P6-14) (Kiryu) 2015.11.12.
- T. Yokoseki, T. Matsuda, S. Mitomo, K. Murata, T. Makino, H. Abe, A. Takeyama, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata, T. Ohshima
Effect of Gamma-ray Irradiation at High Temperature on the Characteristics of SiC MOSFETs
The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA), (P6-15) (Kiryu) 2015.11.12.
- T.Matsuda, T.Yokoseki, S. Mitomo, K. Murata, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, T. Ohshima, and Y. Hijikata
Characteristics of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors Irradiated with Gamma-rays at Elevated Temperature
The 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA), (P6-16) (Kiryu) 2015.11.12.
- Yugo Kobayashi, Takashi Yokoseki, Takuma Matsuda, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Michihiro Hachisuka, Yasuyoshi Kaneko, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata
Gamma-ray irradiation response of the motor-driver circuit with SiC MOSFETs
Inter. Conf. SiC and Relat. Mater. (ICSCRM2015) (Tu-P-50) (Giargini Naxos, Italy) 2015.10.6.
- Takuma Matsuda, Takashi Tokoseki, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Takahiro Makino, Hiroshi Abe, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima
Change in Characteristics of SiC MOSFETs by Gamma-ray Irradiation at High Temperature
Inter. Conf. SiC and Relat. Mater. (ICSCRM2015) (We-P-45) (Giargini Naxos, Italy) 2015.10.7.
- T.Miyazaki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori,
T. Yoshie, Y. Hijikata
Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers
The 16th conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XVI 2015) (OTU15) (Suzhou, China) 2015.9.8.
- ((Invited))T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
Radiation Response of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Transistors in High Dose Region
ISPlasma2015 (B3-I-02) (Nagoya) 2015.3.27.
- T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Materials Based on GaAs:N δ-Doped Superlattices
6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (1TuO.7.4) (Kyoto) 2014.11.25.
- K. Osada, T, Suzuki, S. Yagi, S. Naito, Y. Shoji, Y. Okada, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-doped Superlattice
6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (1WePo.1.9) (Kyoto) 2014.11.26.
- T. Yokoseki, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
and T. Ohshima
Recovery of the Electrical Characteristics of SiC MOSFETs Irradiated with Gamma-rays by Thermal Treatments
10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (Mo-P-LN-10) (Grenoble, France) 2014.9.22.
- Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (We-P-44) (Grenoble, France) 2014.9.24.
- D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (We-P-58) (Grenoble, France) 2014.9.24.
- S. Sato, S. Onoda, T. Makino, N. Fujuta, T. Ohshima1, T. Yokoseki, K. Tanaka, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie
Gamma-Ray Irradiation Response of Silicon Carbide Semiconductor Devices: Extremely High Radiation Resistance
7th International Youth Nuclear Congress (TS33B-5) (Burgos, Spain) 2014.7.9.
-
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi
Resonant tunneling of electrons through cubic-InN quantum dots embedded in GaN
The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (P45) (Montpellier, France) 2014.5.12.
-
Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well
The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (P48) (Montpellier, France) 2014.5.12.
-
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada
Fabrication and Characterization of Intermediate Band Solar Cells Using GaAs:N Delta-Doped Superlattice
23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (4-O-7) (Taipei, Taiwan) 2013.10.30.
-
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada, and H. Yaguchi
Intermediate band solar cells based on GaAs:N δ-doped superlattices
4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (I-35) (Lake Arrowhead, USA) 2013.10.3.
-
K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi
Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N δ-doped GaAs
4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (C-18) (Lake Arrowhead, USA) 2013.10.3.
-
Y. Hijikata, Y. Akasaka, S. Yagi, and H. Yaguchi
Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide
Inter. Conf. SiC and Relat. Matter. (ICSCRM2013) (Th2B-4)(Miyazaki) 2013.10.
-
W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe and H. Yaguchi
Photoreflectance Study of the Temperature Dependence of Excitonic Transitions in Dilute GaAsN Alloys
10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013 (B10.05) (Washington, DC) 2013. 8. 28.
-
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada, H. Yaguchi
Optical Absorption by E+ Miniband of GaAs:N Delta-Doped Superlattices
39th IEEE Photovoltaic Specialsits Conference (Tampa, USA) 2013. 6. 20.
-
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
Stacked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Scale Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (MoPC-06-02) (Kobe) 2013. 5. 20.
-
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe and H. Yaguchi
Enhancement of High Energy Band Optical Transition in GaAs:N Delta-Doped Superlattices for Intermediate Band Solar Cells
International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012 (A-1-P26-014) (Yokohama) 2012. 9. 26.
-
R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates
17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MoP-21) (Nara) 2012. 9. 24.
-
J. Suzuki, M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata and H. Yaguchi
RF-MBE growth of cubic InN quantum dots on cubic GaN
17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MoP-24) (Nara) 2012. 9. 24.
-
Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida
Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model
9th Euro. Conf. SiC and Relat. Matter. (ECSCRM2012) (TuP-63)(Saint-Petersburg, Russia) 2012.9.
-
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs
31st International Conference on the Physics of Semiconductors (69.7) (Zurich, Switzerland) 2012. 8. 2.
-
S. Noguchi, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, and H. Yaguchi
Analysis of the Energy Structure of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High-Efficiency Intermediate-Band Solar Cells
38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Austin, USA) 2012. 6. 4
-
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama
and H. Yaguchi
Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped
GaAs
3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
(P22)(Traunkirchen, Austria) 2011. 9. 12
-
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe,
R. Katayama, and H. Yaguchi
Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (FILMS 1-11)
(Quebec, Canada) 2011. 8. 3
-
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
RF-MBE Growth of Semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
9th International Conference on Nitride Semiconductors (PD3.19) (Glasgow, UK) 2011. 7. 13
-
S. Yagi, Y. Hijikata, Y. Okada, H. Yaguchi
Quantum Well Double Barrier Resonant Tunneling Structures for Selective Contacts of Hot Carrier Solar Cells
37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Seattle, USA) 2011. 6. 23
国内発表
- 宮崎 寿基,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大島 武,田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,土方 泰斗
4H-SiCエピ層のプロセス起因欠陥に対するガンマ線照射の影響
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (P-35) (大阪) 2015.11.9.
- 三友 啓,松田 拓磨,村田 航一,横関 貴史,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大島 武,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,土方 泰斗
SiC-MOSFETガンマ線照射に及ぼすパッケージ影響
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (P-79) (大阪) 2015.11.9.
- 村田 航一,三友 啓,松田 拓磨,横関 貴史,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
ゲート酸化膜生成方法の異なるSiC MOSFETへのゲートバイアス印加ガンマ線照射
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (P-80) (大阪) 2015.11.9.
- 松田 拓磨,横関 貴史,三友 啓,村田 航一,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
高温下でガンマ線照射されたSiC MOSキャパシタの特性変化
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (P-81) (大阪) 2015.11.9.
- 武山 昭憲,松田 拓磨,横関 貴史,三友 啓,村田 航一,牧野 高紘,小野田 忍,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
高温・加湿雰囲気下でのガンマ線照射によるSiC MOSFETの電気特性変化
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (P-82) (大阪) 2015.11.9.
- 松田拓磨、横関貴史、三友啓、村田航一、牧野高紘、武山昭憲、小野田忍、大久保秀一、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、大島武、土方泰斗
高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの電気的特性評価
第76回秋季応用物理学会講演会 (16a-1A-11) (名古屋) 2015.9.16.
- 三友啓、松田拓磨、村田航一、横関貴史、牧野高紘、武山昭憲、小野田忍、大島武、大久保秀一、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗
構造の異なるSiC-MOSFETへのガンマ線照射効果
第76回秋季応用物理学会講演会 (16a-1A-10) (名古屋) 2015.9.16.
- 浅藤亮祐、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
第76回秋季応用物理学会講演会 (15a-1A-11) (名古屋) 2015.9.15.
- 村田航一、三友啓、松田拓磨、横関貴史、牧野高紘、武山昭憲、小野田忍、大久保秀一、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、大島武、土方泰斗
酸化膜形成プロセスの異なるSiC MOSFETへのゲートバイアス印加を伴うガンマ線照射効果
第76回秋季応用物理学会講演会 (14p-PB6-11) (名古屋) 2015.9.14.
- 土方泰斗、浅藤亮祐
Si及びC原子放出モデルに基づくSiC熱酸化メカニズムの統合理論
第76回秋季応用物理学会講演会 (14p-PB6-9) (名古屋) 2015.9.14.
- 金日国、高宮健吾、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
第76回秋季応用物理学会講演会 (13p-PB2-3) (名古屋) 2015.9.13.
- 【招待講演】土方泰斗
SiC熱酸化における界面からのSi、C放出と界面欠陥
応用物理学会先進パワー半導体分科会第1回個別討論会 (東京) 2015.8.4.
- 松田拓磨,横関貴史,三友啓,村田航一,牧野高紘,阿部浩之,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,大島武,土方泰斗
高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの耐放射線性評価
第62回応用物理学会春季学術講演会 (11p-P2-11) (平塚) 2015.3.11.
- 三友啓,松田拓磨,村田航一,横関貴史,牧野高紘,阿部浩之,小野田忍,大島武,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗
SiC-MOSFETへのガンマ線照射効果の酸化膜作製プロセスによる違い
第62回応用物理学会春季学術講演会 (11p-P2-12) (平塚) 2015.3.11.
- 村田 航一,三友 啓,松田 拓磨,横関貴史,牧野 高紘,阿部 浩之,小野田 忍,大久保 秀一,田中 雄季,神取 幹郎,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
ゲートバイアス印加を伴うSiC MOSFETへのガンマ線照射効果
第62回応用物理学会春季学術講演会 (13p-B4-9) (平塚) 2015.3.13.
- 森誠也, 高宮健吾, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
4H-SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
第62回応用物理学会春季学術講演会 (12p-P16-9) (平塚) 2015.3.12.
- 宮崎貴史, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
第62回応用物理学会春季学術講演会 (13a-P15-2) (平塚) 2015.3.13.
- 鈴木智也, 八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階吸収
第62回応用物理学会春季学術講演会 (13p-P19-17) (平塚) 2015.3.13.
- 後藤 大祐、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之
In-situ分光エリプソメータによるSiC酸化過程の面方位依存性測定 (II)
応用物理学会先進パワー半導体分科会第1回講演会 (P-53) (名古屋) 2014.11.19.
- 横関貴史、阿部浩之、牧野高紘、小野田忍、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗、大島武
ガンマ線照射したSiC MOSFETの熱アニールによる特性劣化の回復
応用物理学会先進パワー半導体分科会第1回講演会 (P-60) (名古屋) 2014.11.19.
- 宮野祐太郎、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
応用物理学会先進パワー半導体分科会第1回講演会 (P-89) (名古屋) 2014.11.19.
- 鈴木智也, 長田一輝, 八木修平, 内藤俊弥, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19p-PB3-10) (札幌) 2014.9.19
- 今野良太郎, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-PB5-11) (札幌) 2014.9.19
- 横関貴史、牧野高紘、阿部浩之、小野田忍、大島武、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗
ガンマ線照射したSiC MOSFETの特性の安定性
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-PB5-17) (札幌) 2014.9.19
- 長田一輝, 鈴木智也, 八木修平, 内藤駿弥, 庄司 靖, 岡田至崇, 土方泰斗, 矢口裕之
GaAs:N δドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
第75回応用物理学会秋季学術講演会 (19a-S1-6) (札幌) 2014.9.19
- 五十嵐健,折原 操,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之
RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
第61回応用物理学会春季学術講演会 (20a-PG1-15) (相模原) 2014.3.20.
- 横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響
第61回応用物理学会春季学術講演会 (17a-PG3-12) (相模原) 2014.3.17.
- 田中量也, 横関貴史, 藤田奈津子,牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
SiC-MOSキャパシタの電気特性のガンマ線照射線量依存性
第61回応用物理学会春季学術講演会 (17a-PG3-11) (相模原) 2014.3.17.
- 土方泰斗
【依頼講演】ワイドギャップ半導体MIS界面の電気的評価
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 (IX-1) (浦和) 2013.12.10.
- 後藤大祐, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
In-situ分光エリプソメーターによるSiC酸化過程の面方位依存性測定
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 (L-19) (浦和) 2013.12.9.
- 大谷 篤志, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
堆積と熱酸化による4H-SiC MOS構造の作製(II)
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 (C-33) (浦和) 2013.12.9.
- 横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
Co-60ガンマ線によるSiC-MOSFETのI-V特性の劣化評価
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 (A-31) (浦和) 2013.12.9.
- 田中量也, 横関貴史, 藤田奈津子,岩本直也, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
ガンマ線照射後のSiC-MOSキャパシタ及びPiN ダイオードの電気的特性の変化
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 (L-28) (浦和) 2013.12.9.
- 八木修平, 野口駿介, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 岡田至崇, 矢口裕之
GaAs:N δドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価
第74回応用物理学会学術講演会 (17p-D6-14) (京田辺) 2013. 9. 17
- 徳田英俊, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
第74回応用物理学会学術講演会 (17p-P7-15) (京田辺) 2013. 9. 17
- 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
第74回応用物理学会学術講演会 (19a-P8-11) (京田辺) 2013. 9. 19
- 岩崎卓也, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之, 上田修
GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響
第74回応用物理学会学術講演会 (19a-P8-13) (京田辺) 2013. 9. 19
- 山崎泰由, 八木修平, 土方泰斗, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性
第74回応用物理学会学術講演会 (19a-P8-14) (京田辺) 2013. 9. 19
- 後藤大祐, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察
第74回応用物理学会学術講演会 (19a-P9-4) (京田辺) 2013. 9. 19
- 土方 泰斗,八木 修平,矢口 裕之
【依頼講演】SiC酸化メカニズム解明への試み−Si酸化との共通点/異なる点−
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会/電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会共催(SDM2013-62)(東京) 2013.6.18.
- 鈴木 潤一噤C折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
RF-MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製
第60回春季応用物理学会講演会 (28p-PA4-1) (厚木) 2013.3.28.
- 野口 駿介,八木 修平,土方 泰斗,窪谷 茂幸,岡田 至崇,尾鍋 研太郎,矢口 裕之
中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素δドープ超光子のE+バンド光吸収の観測
第60回春季応用物理学会講演会 (29a-PB7-19) (厚木) 2013.3.29.
- 宮野 祐太郎,矢口 裕之,土方 泰斗,八木 修平
4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
第60回春季応用物理学会講演会 (29p-PB4-9) (厚木) 2013.3.29.
- 大谷 篤志,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
第21回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (P-48) (大阪) 2012.11.19.
- 大谷 篤志,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
第73回応用物理学会学術講演会 (11p-PB2-4) (松山) 2012. 9. 11.
- 加藤 寿悠 ,八木 修平 ,土方 泰斗 ,矢口 裕之
スパッタ薄膜成長による4H-SiC 基板中の非発光再結合中心生成
第73回応用物理学会学術講演会 (11p-PB2-12) (松山) 2012. 9. 11.
- 増田 篤, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
第73回応用物理学会学術講演会 (12a-PB4-11) (松山) 2012. 9. 12.
- 五十嵐 健,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
第73回応用物理学会学術講演会 (12a-PB4-12) (松山) 2012. 9. 12.
- 坂本 圭,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
第一原理計算によるGaAsN の電子構造に対する原子配置の影響に関する研究
第73回応用物理学会学術講演会 (12a-PB4-22) (松山) 2012. 9. 12.
- 金 日国, 八木 修平, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
第73回応用物理学会学術講演会 (12p-PB11-16) (松山) 2012. 9. 12.
- 高宮 健吾,八木 修平,土方 泰斗,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
窒素δドープGaAs 中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定
第73回応用物理学会学術講演会 (12p-PB11-20) (松山) 2012. 9. 12.
- 折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
RF-MBE法によるTiO2(001)基板上への立方晶GaNの成長
第73回応用物理学会学術講演会 (13p-H9-17) (松山) 2012. 9. 13.
- 徳田英俊,鈴木潤一郎、折原操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之
RF-MBE法によるInN量子ドットの結晶構造制御
第4回窒化物半導体結晶成長講演会 (FR-26) (東京) 2012. 4. 27.
- 吉田 倫大,折原 操,八木 修平,土方 泰斗, 矢口 裕之
分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
第59回応用物理学関係連合講演会 (16a-DP1-27)(早稲田)(2012.3.16).
- 高宮 健吾,福島 俊之,星野 真也,八木 修平,土方 泰斗,望月 敏光,
吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
窒素δドープGaAs における単一等電子トラップからの励起子分子発光
第59回応用物理学関係連合講演会 (17a-A8-9)(早稲田)(2012.3.17).
- 山形 光,八木 修平,土方 泰斗, 矢口 裕之
熱酸化が4H‐SiC エピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の
顕微フォトルミネッセンスによる観察
第59回応用物理学関係連合講演会 (17p-A8-11)(早稲田)(2012.3.17).
- 野口 駿介,八木 修平,土方 泰斗,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,矢口 裕之
GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
第59回応用物理学関係連合講演会 (17p-DP3-12)(早稲田)(2012.3.17).
- 新井 佑也,星野 真也,高宮 健吾, 八木 修平,土方 泰斗,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,
尾鍋 研太郎,矢口 裕之
窒素δドープGaAs 中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
第59回応用物理学関係連合講演会 (17p-DP3-13)(早稲田)(2012.3.17).
- 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
【招待講演】SiC熱酸化機構の解明への取り組み
第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (V-2) (名古屋) 2011.12.9.
- 山形 光, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
顕微フォトルミネッセンスを用いた4H-SiCエピ膜中積層欠陥に対する酸化の影響に関する研究
第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (P-31) (名古屋) 2011.12.8.
- 外谷 彰悟, 土方 泰斗, 矢口 裕之,吉田 貞史
MOS構造の電気的特性に対する4H-SiCエピ層中積層欠陥の影響
第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (P-80) (名古屋) 2011.12.8.
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八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
第72回応用物理学会学術講演会 (1a-H-12)(山形) 2011. 9. 1
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高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性
第72回応用物理学会学術講演会(30p-ZA-5)(山形) 2011. 8. 30
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折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長
第72回応用物理学会学術講演会(30a-ZE-8)(山形) 2011. 8. 30
-
鈴木潤一郎, 折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長(II)
第72回応用物理学会学術講演会 (30a-ZE-9)(山形) 2011. 8. 30
-
篠田 龍, 土方泰斗, 矢口裕之, 八木修平, 吉田貞史
SiCの2段階酸化における酸化膜成長速度の測定
第72回応用物理学会学術講演会(31p-N-11)(山形) 2011. 8. 31
- 土方 泰斗,矢口 裕之,吉田 貞史
【シンポジウム講演】SiC熱酸化機構の解明への取り組み:特にSi酸化との類似点及び相違点について
第58回応用物理学関係連合講演会 (24p-BN-11)(厚木)(2011.3.24).
- 矢野 貴大,折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
InN/p-4H-SiC構造の作製と電気・光学特性評価
第58回応用物理学関係連合講演会 (25a-BY-7)(厚木)(2011.3.25).
- 高宮健吾,福島俊之,星野真也,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎,矢口裕之
GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価
第58回応用物理学関係連合講演会 (25p-BQ-4)(厚木)(2011.3.25).
- 鈴木 潤一郎,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
RF-MBE 法による立方晶GaN 上への立方晶InN ドットの成長
第58回応用物理学関係連合講演会 (26p-BZ-2)(厚木)(2011.3.26).
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