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研究業績リスト（2006〜2010年）

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論文

• T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
  "Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A"
  Physica E Vol. 42, No 10, pp. 2529-2531 (2010).

• Misao Orihara, Shin Takizawa, Takanori Sato, Yuuki Ishida, Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata, and Hiroyuki Yaguchi
  "RF-MBE growth of InN on 4H-SiC (0001) with off-angles"
  Phys. Satatus Solidi C Vol. 7, pp. 2016-2018 (2010).

• Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Model calculations of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model"
  Mater. Sci. Forum Vols. 645-648, pp. 809-812 (2010).
  PDF(400kB)

• Keiko Kouda, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "In-situ Spectroscopic Ellipsometry Study of SiC Oxidation at Low Oxygen-Partial-Pressures"
  Mater. Sci. Forum Vols. 645-648, pp. 813-809 (2010).
  PDF(400kB)

• Hideki Hashimoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Optical and Electrical Characterizations of 4H-SiC-Oxide interfaces by Spectroscopic Ellipsometry and Capacitance-Voltage measurements"
  Appl. Surf. Sci. Vol. 255, pp. 8648-8653 (2009).
  PDF(612kB)

• Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Model Calculation of SiC Oxide Growth Rate based on the Silicon and Carbon Emission Model"
  Mater. Sci. Forum Vols. 615-617, pp. 489-492 (2009).
  PDF(400kB)

• Hideyasu Seki, Takahiro Wakabayashi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Characterization of 4H-SiC-SiO₂ Interfaces by a Deep Ultraviolet Spectroscopic Ellipsometer"
  Mater. Sci. Forum Vols. 615-617, pp. 505-508 (2009).
  PDF(400kB)

• Toshiyuki Takaku, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Observation of SiC Oxidation in Ultra-Thin Oxide Regime by In-situ Spectroscopic Ellipsometry"
  Mater. Sci. Forum Vols. 615-617, pp. 509-512 (2009).
  PDF(400kB)

• Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  "A Kinetic Model of Silicon Carbide Oxidation Based on the Interfacial Silicon and Carbon Emission Phenomenon"
  Appl. Phys. Express vol.2, p.021203 (2009).
  PDF(133kB)

• Takeshi Yamamoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Oxide Growth Rate Enhancement of Silicon Carbide (0001) Si-Faces in Thin Oxide Regime"
  Jpn. J. Appl. Phys. vol.47, pp.7803-7806 (2008).
  PDF(132kB)

• Takeshi Yamamoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied by In-situ Spectroscopic Ellipsometry"
  Mater. Sci. Forum vols. 600-603, pp.667-670 (2009).
  PDF(3.1MB)

• Yasuto Hijikata, Takeshi Yamamoto, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide Regime"
  Mater. Sci. Forum vols. 600-603, pp.663-666 (2009).
  PDF(400KB)

• S. Kuntharin, S. Sanorpim, H. Yaguchi, Y. Iwahashi, M. Orihara, Y. Hijakata and S. Yoshida
  "High Resolution X- ray Diffraction and Raman Scattering Studies of Cubic-phase InN Films Grown by MBE"
  Advanced Materials Research Vols. 55-57, pp. 773-776(2008).
  

• Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
  "Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs"
  Physica E vol. 40, pp.2110-2112 (2008).
  

• G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  "Improvement of the surface morphology of a-plane InN using low-temperature InN buffer layers"
  Physica Status Solidi (c) Vol. 5, No. 6, pp. 1808-1810 (2008).

• S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, and Y. Hirabayashi
  "Photoluminescence study of hexagonal InN/InGaN quantum well structures grown on 3C-SiC (001) substrates by molecular beam epitaxy"
  Physica Status Solidi (c) Vol. 5, No. 6, pp. 1730-1732 (2008).

• T. Inoue , Y. Iwahashi , S. Oishi, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  "Photoluminescence of cubic InN films on MgO (001) substrates"
  Physica Status Solidi (c) Vol. 5, No. 6, pp. 1579-1581 (2008).

• Takeshi Yamamoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  "Growth Rate Enhancement of (000 -1)-Face Silicon-carbide Oxidation in Thin Oxide Regime"
  Jpn. J. Appl. Phys. Part 2, Vol.46, pp.L770-772 (2007).
  PDF(120KB)

• A. Poggi, F. Moscatelli, Y. Hijikata, S. Solmi and R. Nipoti
  "MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with Nitrogen"
  Microelectronic Engineering, Vol. 84, pp.2804-2809 (2007).
  PDF(196KB)

• H. Yaguchi, T. Aoki, T. Morioke, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, D. Aoki, and K. Onabe
  "Photoluminescence study of isoelectronic traps in dilute GaAsN alloys"
  Physica Status Solidi (c) Vol. 4, No. 7, pp. 2760-2763 (2007).

• Shingo Oishi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  "Simultaneous Determination of the Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Terahertz Reflectance Spectroscopy"
  Mater. Sci. Forum, Vol.556-557, pp.423-426 (2007).
  PDF(249KB)

• Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Francesco Moscatelli, Antonella Poggi, Sandro Solmi, Stefano Cristiani and Roberta Nipoti
  "Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation"
  Mater. Sci. Forum, Vol.556-557, pp.651-654 (2007).
  PDF(103KB)

• Antonella Poggi, Francesco Moscatelli, Yasuto Hijikata, Sandro Solmi, Michele Sanmartin, Fabrizio Tamarri and Roberta Nipoti
  "Characterization of MOS Capacitors Fabricated on n-type 4H-SiC Implanted with Nitrogen at High Dose"
  Mater. Sci. Forum, Vol.556-557, pp.639-642 (2007).
  PDF(763KB)

• S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  "RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates"
  J. Cryst. Growth, Vol.301-302, pp.513-516 (2007).
  PDF(548KB)

• G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi and S. Yoshida
  "RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer"
  J. Cryst. Growth, Vol.301-302, pp.517-520 (2007).
  PDF(276KB)

• K. Tanioka, Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, and K. Onabe
  "Micro Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys"
  J. Cryst. Growth, vol.298, p.131-134 (2007).
  PDF(144KB)

• Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
  "Micro-photoluminescence study of nitrogen -doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy"
  J. Cryst. Growth vol.298, p.73-75 (2007).
  PDF(155KB)

• Shingo Oishi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  "Simultaneous Determination of Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy"
  Jpn. J. Appl. Phys., vol.45, pp.L1226-L1229 (2006).
  PDF(152KB)

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, Y. Takata, K. Kobayashi, H. Nohira, and T. Hattori
  "Characterization of Oxide Films on 4H-SiC Epitaxial (000-1) Faces by High-Energy-Resolution Photoemission Spectroscopy: Comparison between Wet and Dry Oxidation"
  J. Appl. Phys., vol.100, p.053710 (2006).
  PDF(124KB)

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, Y. Takata, K. Kobayashi, H. Nohira, and T. Hattori
  "Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide Interfaces"
  Mater. Sci. Forum, vol.527-529, pp.1003-1006 (2006).
  PDF(652KB)

• K. Kakubari, R. Kuboki, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  "Real Time Observation of SiC Oxidation using In-Situ Ellipsometer"
  Mater. Sci. Forum, vol.527-529, pp.1031-1034 (2006).
  PDF(264KB)

• Y. Iwahashi, A. Nishimoto, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  "RF-MBE growth of cubic InN films on MgO(001) substrates"
  Phys. Status Solidi C, vol.3, pp.1515-1518 (2006).
  PDF(192KB)

• H. Yaguchi, T. Morioke, T. Aoki, H. Shimizu, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, N. Usami, D. Aoki, and K. Onabe
  "Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys"
  Phys. Status Solidi C, vol.3, pp.1907-1910 (2006).
  PDF(272KB)

国際会議

• Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  "Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation"
  8th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM), Mo3-6 (Oslo, Norway) 2010.8.30.

• M. Orihara, S. Takizawa, T. Sato, Y. Ishida, S. Yoshida, Y. Hijikata, H. Yaguchi
  "RF-MBE Growth of InN on 4H-SiC(0001) with Off-angles"
  8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), ThP13 (Jeju, Korea) 2009. 10. 22.

• Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Model calculation of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model"
  Int. Conf. SiC Relat. Mater. (ICSCRM), Th-3B-5 (Nurnberg, Germany) 2009.10.15.

• Keiko Kouda, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "In-situ Spectroscopic Ellipsometry Study of SiC Oxidation at Low Oxygen-Partial-Pressures"
  Int. Conf. SiC Relat. Mater. (ICSCRM), Tu-P-40 (Nurnberg, Germany) 2009.10.13.

• T. Fukushima, M. Ito, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
  "Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)"
  The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (Tu-mP5) (Kobe) 2009. 7. 21.

• Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Model Calculation of SiC Oxide Growth Rate based on the Silicon and Carbon Emission Model"
  European Conf. SiC Relat. Mater. (ECSCRM), WeP-18 (Barcelona) 2008.9.10.

• Hideyasu Seki, Takahiro Wakabayashi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Characterization of 4H-SiC-SiO₂ Interfaces by a Deep Ultraviolet Spectroscopic Ellipsometer"
  European Conf. SiC Relat. Mater. (ECSCRM), WeP-19 (Barcelona) 2008.9.10.

• Toshiyuki Takaku, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Observation of SiC Oxidation in Ultra-Thin Oxide Regime by In-Situ Spectroscopic Ellipsometry"
  European Conf. SiC Relat. Mater. (ECSCRM), WeP-20 (Barcelona) 2008.9.10.

• Takeshi Yamamoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied by In-situ Spectroscopic Ellipsometry"
  Int. Conf. SiC Relat. Mater. (ICSCRM), WeP-64 (Otsu) 2007.10.15.

• Yasuto Hijikata, Takeshi Yamamoto, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  "Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide Regime"
  Int. Conf. SiC Relat. Mater. (ICSCRM), WeP-63 (Otsu) 2007.10.15.

• T. Inoue, Y.Iwahashi, S. Oishi, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  "Photoluminescence of cubic InN films on MgO(001) substrates"
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), WP59 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 19.

• G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  "Improvement of the surface morphology of a-plane InN using low-temperature InN buffer layers"
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), BB3 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 20.

• S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
  "Photoluminescence Study of Hexagonal InN/InGaN Quantum Well Structures Grown on 3C-SiC (001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy"
  7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS), WP60 (Las Vegas, USA) 2007. 9. 19.

• Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
  "Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs"
  13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS), PM11 (Genova, Italy) 2007. 7. 17.

• H. Yaguchi, T. Aoki, T. Morioke, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, D. Aoki, and K. Onabe
  Photoluminescence Study of Isoelectronic Traps in Dilute GaAsN alloys
  International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006) MoP2-71, (Kyoto, 2006. 10. 23)

• S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates
  Int. Conf. MBE, TuP-23, p.136 (Tokyo, 2006.9.5).

• G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi and S. Yoshida
  RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer
  Int. Conf. MBE, TuP-24, p.137 (Tokyo, 2006.9.5).

• Shingo Oishi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  Simultaneous Determination of the Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Terahertz Reflectance Spectroscopy
  European Conf. SiC Relat. Mater. (ECSCRM), MoP79 p.13 (Newcastle, U.K., 2006.9.4)

• Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Francesco Moscatelli, Antonella Poggi, Sandro Solmi, Stefano Cristiani and Roberta Nipoti
  Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation
  European Conf. SiC Relat. Mater. (ECSCRM), WeP44 p.34 (Newcastle, U.K., 2006.9.6)

• Antonella Poggi, Francesco Moscatelli, Yasuto Hijikata, Sandro Solmi, Michele Sanmartin, Fabrizio Tamarri and Roberta Nipoti
  Characterization of MOS Capacitors Fabricated on n-type 4H-SiC Implanted with Nitrogen at High Dose
  European Conf. SiC Relat. Mater. (ECSCRM), MoP57 p.11 (Newcastle, U.K., 2006.9.4)

• Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
  Micro-photoluminescence study of nitrogen atomic-layer doped GaAs
  25th Electronic Materials Symposium (I4) (Izu-no-kuni) 2006. 7. 6

• K. Tanioka, Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, and K. Onabe
  Micro Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys
  Int. Conf. MOVPE, (Miyazaki, 2006.5).

• Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
  Micro-photoluminescence study of nitrogen -doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy
  Int. Conf. MOVPE, (Miyazaki, 2006.5).

• S. Yoshida, K. Kabubari, Y. Hijikata, H. Yaguchi and M. Yoshikawa
  Real-time Observation of SiC Oxidation using an in situ Ellipsometer
  2006 Japanese-Spanish-German Joint Workshop on Advanced Semiconductor Optoelectronic Materials and Devices (Berlin, Germany, 2006.3).

国内発表

• 甲田 景子，土方 泰斗, 八木 修平，矢口 裕之，吉田 貞史
  In-situ分光エリプソメータによるSiC酸化過程の酸素分圧依存性測定
  第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 (P-47) (つくば) 2010.10.22.

• 大久保 航，石川 輝，八木 修平，土方 泰斗, 吉田 貞史，片山 竜二，尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
  極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-1) (長崎) 2010.9.14

• 新井 佑也，遠藤 雄太，石川 輝，八木 修平，土方 泰斗，窪谷 茂幸，尾鍋 研太郎，片山 竜二，矢口 裕之
  極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-2) (長崎) 2010.9.14

• 石川 輝，八木 修平，土方 泰斗, 吉田 貞史，岡野 真人，望月 敏光，吉田 正裕，秋山 英文，窪谷 茂幸，尾鍋 研太郎，片山 竜二，矢口 裕之
  極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-3) (長崎) 2010.9.14

• 星野 真也，遠藤 雄太，福島 俊之，高宮 健吾，八木 修平，土方 泰斗, 望月 敏光，吉田 正裕，秋山 英文，窪谷 茂幸，尾鍋 研太郎，片山 竜二，矢口 裕之
  窒素δドープGaAs 中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-5) (長崎) 2010.9.14

• 高宮 健吾，遠藤 雄太，福島 俊之，星野 真也，八木 修平，土方 泰斗, 望月 敏光，吉田 正裕，秋山 英文，窪谷 茂幸，尾鍋 研太郎，片山 竜二，サノーピン サクンタム，矢口 裕之
  窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価
  第71回応用物理学会学術講演会 (14p-ZV-6) (長崎) 2010.9.14

• 土方 泰斗，八木 修平，矢口 裕之，吉田 貞史
  酸化中のS i C 層へのS i およびC 原子放出についての理論的検討
  第71回応用物理学会学術講演会 (15a-ZS-10) (長崎) 2010.9.15

• 福島俊之，高宮健吾，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，岡野真人，吉田正裕，秋山英文，窪谷茂幸，尾鍋研太郎，片山竜二
  様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(III)
  第57回応物関連講演会 (18p-TW-7) (湘南) 2010.3.18

• 土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  SiおよびC原子放出モデルに基づく様々な酸化温度におけるSiC酸化速度のモデル計算
  第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P74, p.167（神戸）(2009.12.17).
• 甲田景子，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  In-situ分光エリプソメ−タによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察
  第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P26, p.78（神戸）(2009.12.17).

• 若林敬浩，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  4H-SiC/酸化膜界面の光学的および電気的評価
  第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P32, p.89（神戸）(2009.12.17).

• 甲田景子，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  In-situ分光エリプソメ−タによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察
  第70回応用物理学会学術講演会 (10p-M-11) (富山) 2009. 9. 10
• 折原　操，瀧澤　伸，佐藤貴紀，石田夕起，吉田貞史，土方泰斗，矢口裕之
  RF-MBE法による4H-SiC(0001)オフ基板上へのInN直接成長
  第70回応用物理学会学術講演会 (10p-E-2) (富山) 2009. 9. 10
• 高宮健吾，遠藤雄太，福島俊之，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，岡野真人，秋山英文，窪谷茂幸，尾鍋研太郎，片山竜二
  窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光
  第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-12) (富山) 2009. 9. 9
• 石川　輝，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，岡野真人，吉田正裕，秋山英文，窪谷茂幸，尾鍋研太郎，片山竜二
  極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定
  第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-11) (富山) 2009. 9. 9
• 大久保航，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，片山竜二，尾鍋研太郎
  フォトリフレクタンスによるGaAsNの電子構造に関する研究
  第70回応用物理学会学術講演会 (9p-C-6) (富山) 2009. 9. 9

• 若林 敬浩、柴崎 俊哉，土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  厚い酸化膜領域におけるSiCの酸化速度の測定
  第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-F-1, p.437（つくば）(2009.3.30).
• 土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化モデル
  第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-F-2, p.437（つくば）(2009.3.30).<
• 甲田 景子，高久 英之，土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  In-situ分光エリプソメータによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定(II)
  第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-F-3, p.438（つくば）(2009.3.30).
• 福島 俊之，伊藤 正俊，土方 泰斗，矢口 裕之，吉田 貞史，岡野 真人，吉田 正裕，秋山 英文，窪谷 茂幸，片山 竜二，尾鍋 研太郎
  様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(II)
  第56回応用物理学関係連合講演会, 31a-J-16, p.356（つくば）(2009.3.31).
• 伊藤 正俊，福島俊之，土方 泰斗，矢口 裕之，吉田 貞史，岡野 真人，吉田 正裕，秋山 英文，窪谷 茂幸，片山 竜二，尾鍋 研太郎
  窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光(III)
  第56回応用物理学関係連合講演会, 31a-J-17, p.356（つくば）(2009.3.31).

• 吉田 貞史, 矢口 裕之, 土方 泰斗
  SiC酸化膜界面の分光エリプソメトリによる評価 【招待講演】
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, V-1, p.11（蒲田）(2008.12.9).
• 中島 洋, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第一原理計算を用いた立方晶 GaN の電気的特性解析
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P72, p.153（蒲田）(2008.12.8).
• 高久 英之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  in-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄膜厚領域における酸化過程の観察
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P65, p.142（蒲田）(2008.12.8).
• 関 秀康，若林 敬浩， 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価ー紫外領域への拡張ー
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P63, p.139（蒲田）(2008.12.8).
• 若林 敬浩、土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P61, p.136（蒲田）(2008.12.8).
• 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化速度のモデル計算
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P66, p.144（蒲田）(2008.12.8).

• 若林敬浩，関 秀康，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価II
  第69回応用物理学会講演会, 2p-CE-12, p.356（春日井）(2008.9.2).
• 折原 操，富田康浩，瀧澤伸，佐藤貴紀，土方 泰斗，矢口 裕之，吉田 貞史
  RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInNの直接成長
  第69回応用物理学会講演会, 4p-CG-3, p.325（春日井）(2008.9.4).
• 鈴木直也，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，片山竜二，尾鍋研太郎
  分光エリプソメータを用いたGaAsN混晶の電子構造に関する研究
  第69回応用物理学会講演会, 4a-CF-11, p.291（春日井）(2008.9.4).
• 伊藤正俊，福島俊之，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，吉田正裕，秋山英文，窪谷茂幸，片山竜二，尾鍋研太郎
  窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光(II)
  第69回応用物理学会講演会, 4a-CF-15, p.293（春日井）(2008.9.4).
• 福島俊之，伊藤正俊，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，吉田正裕，秋山英文，窪谷茂幸，片山竜二，尾鍋研太郎
  様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光
  第69回応用物理学会講演会, 4a-CF-16, p.293（春日井）(2008.9.4).

• 富田康浩，井上 赳，折原 操，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，平林康男
  RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価
  第55回応用物理学関係連合講演会, 27p-B-6, p.380（船橋）(2008.3.27).
• 井上 赳，四方 剛，塚越裕介，富田康浩，中島 洋，折原 操，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定（II）
  第55回応用物理学関係連合講演会, 27p-B-7, p.380（船橋）(2008.3.27).
• 四方 剛，井上 赳，佐藤貴紀，平山秀樹，折原 操，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  RF-MBE法により成長させたA面InN膜のフォトルミネッセンス特性
  第55回応用物理学関係連合講演会, 27p-B-16, p.383（船橋）(2008.3.27).<
• 高久英之，山本健史，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  In-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄領域における酸化過程の観察
  第55回応用物理学関係連合講演会, 28p-A-1, p.432（船橋）(2008.3.28).
• 若林敬浩，関 秀康，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
  第55回応用物理学関係連合講演会, 28p-A-2, p.432（船橋）(2008.3.28).
• 関 秀康，若林敬浩，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価 -酸化膜厚依存性-
  第55回応用物理学関係連合講演会, 28p-A-3, p.433（船橋）(2008.3.28).
• 福島俊之，遠藤雄太，伊藤正俊，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，吉田正裕，秋山英文，窪谷茂幸，片山竜二，尾鍋研太郎
  極低濃度窒素をドーピングしたGaAs中の等電子トラップからの発光
  第55回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZT-13, p.368（船橋）(2008.3.29).
• 谷岡健太郎，堀口 歩，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，片山竜二，尾鍋研太郎，吉田正裕，秋山英文
  ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究
  第55回応用物理学関係連合講演会, 29p-ZT-18, p.370（船橋）(2008.3.29).

• 高久 英之, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  In-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄膜厚領域における酸化過程の観察
  第16回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P42, p.101（名古屋）(2007.11.29).
• 橋本 英樹, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価ー酸化法、面方位依存性ー(2)
  第16回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P43, p.103（名古屋）(2007.11.29).
• 山本 健史, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  In-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定
  第16回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P44, p.105（名古屋）(2007.11.29).
• 土方 泰斗, 山本 健史, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  SiC酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算
  第16回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, P45, p.107（名古屋）(2007.11.29).

• 土方 泰斗
  SiC-MOSデバイスの現状と初期酸化過程の観察
  第37回日本結晶成長学会国内会議, 05aB03, pp.23-24（札幌）(2007.11.5).（招待講演）

• 塚越 裕介，折原 操，土方 泰斗，矢口 裕之，吉田 貞史，崔 成伯，石谷 善博，吉川 明彦
  分光エリプソメトリによるInGaN混晶の光学的評価
  第68回応用物理学会講演会, 5a-ZR-3, p.362（札幌）(2007.9.5).
• 折原 操，四方 剛, 井上 赳, 塚越 裕介，土方 泰斗，矢口 裕之，吉田 貞史
  RF-MBE法を用いた4H-SiC基板(0001)面および(000-1)面上へのInGaN成長
  第68回応用物理学会講演会, 6a-ZS-11, p.370（札幌）(2007.9.6).
• 橋本 英樹, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価ー酸化法、面方位依存性ー
  第68回応用物理学会講演会, 6p-ZN-2, p.424（札幌）(2007.9.6).
• 山本 健史, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  In-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定
  第68回応用物理学会講演会, 6p-ZN-3, p.425（札幌）(2007.9.6).
• 土方 泰斗, 山本 健史, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算
  第68回応用物理学会講演会, 6p-ZN-4, p.425（札幌）(2007.9.6).
• 遠藤 雄太，伊藤 正俊, 土方 泰斗，矢口 裕之，吉田 貞史，吉田 正裕，秋山 英文，中島 史博，片山 竜二，尾鍋 研太郎
  窒素をδドープしたGaAs における単一の等電子トラップからの発光の偏光特性
  第68回応用物理学会講演会, 7a-E-6, p.337（札幌）(2007.9.7).
• 伊藤 正俊, 遠藤 雄太，土方 泰斗，矢口 裕之，吉田 貞史，吉田 正裕，秋山 英文，中島 史博，片山 竜二，尾鍋 研太郎
  窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光
  第68回応用物理学会講演会, 7a-E-7, p.337（札幌）(2007.9.7).
• 谷岡 健太郎, 遠藤 雄太，伊藤 正俊, 土方 泰斗，矢口 裕之，吉田 貞史，片山 竜二，尾鍋 研太郎，吉田 正裕，秋山 英文
  光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究
  第68回応用物理学会講演会, 7p-E-2, p.339（札幌）(2007.9.7).

• 平野 茂、四方 剛、井上 赳、塚越 裕介、折原 操、土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
  第54回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZG-2, p.411（相模原）(2007.3.30).
• 四方 剛，平野 茂，ファリズ・アブドゥルラーシッド，平山 秀樹，折原 操，土方 泰斗，矢口 裕之，吉田 貞史
  RF-MBE法によるGaNバッファ層を用いたサファイアR面基板上へのA面InNの成長
  第54回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZG-5, p.408（相模原）(2007.3.3).
• 折原 操、平野 茂、四方 剛、井上 赳、塚越裕介、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製(III)
  第54回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZG-3, p.412（相模原）(2007.3.30).
• 遠藤 雄太，土方 泰斗，矢口 裕之，吉田貞史，吉田 正裕，秋山 英文，中島 史博，片山 竜二，尾鍋 研太郎
  窒素をδドープしたGaAs における単一の等電子トラップからの発光
  第54回応用物理学関係連合講演会, 29p-Q-14, p.358（相模原）(2007.3.29).

• 大石 慎吾、土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  テラヘルツ分光法によるSiC エピタキシャル成長膜のキャリヤ濃度、移動度、膜厚の同時評価
  第15回SiC及びワイドギャップ半導体研究会 P-20 (高崎) (2006.11.9).
• 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, F. Moscatelli, A. Poggi, S. Solmi, R. Nipoti
  窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製
  第15回SiC及びワイドギャップ半導体研究会 P-32 (高崎) (2006.11.9).
• 山本 健史、土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  In-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定
  第15回SiC及びワイドギャップ半導体研究会 P-28 (高崎) (2006.11.9).
• 橋本 英樹、窪木 亮一、土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価 ― 酸化法、面方位依存性 ―
  第15回SiC及びワイドギャップ半導体研究会 P-27 (高崎) (2006.11.9).
• 窪木 亮一、橋本 英樹、土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価 ― 複数の入射角による測定 ―
  第15回SiC及びワイドギャップ半導体研究会 P-26 (高崎) (2006.11.9).

• 塚越裕介，折原操，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，崔成伯，石谷善博，吉川明彦
  分光エリプソメトリによる高In 組成InGaN の光学的評価
  第67回応用物理学会講演会 29p-C-11 p.312（滋賀）(2006.8.29).
• 井上赳，平野茂，折原操，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史
  RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定
  第67回応用物理学会講演会 29a-C-10 p.308（滋賀）(2006.8.29).
• 遠藤雄太、谷岡健太郎、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史、吉田正裕、秋山英文、中島史博、片山竜二、尾鍋研太郎
  窒素をδドープしたGaAs における等電子トラップの顕微フォトルミネッセンス測定
  第67回応用物理学会講演会 29p-B-11 p.293（滋賀）(2006.8.29).
• 大石 慎吾、土方泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
  第67回応用物理学会講演会 30p-ZG-1 p.370（滋賀）(2006.8.30).
• 橋本 英樹、窪木 亮一、土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価　-酸化法、面方位依存性-
  第67回応用物理学会講演会 31a-ZG-8 p.377（滋賀）(2006.8.31).
• 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史, F. Moscatelli, A. Poggi, S. Solmi, R. Nipoti
  窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製
  第67回応用物理学会講演会 31a-ZG-6 p.377（滋賀）(2006.8.31).

• 井上　赴, 岩橋洋平, 平野　茂, 折原　操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
  RF-MBE法を用いた3C-SiC(001)基板上への六方晶InNの結晶成長
  第53回応用物理学関係連合講演会 (22p-ZF-7)（東京）(2006.3).
• 折原　操, 岩橋洋平, 平野　茂, 井上　赴, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
  RF-MBE法を用いたSiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
  第53回応用物理学関係連合講演会 (22p-ZF-8)（東京）(2006.3).
• 覚張光一, 窪木亮一, 山本健史, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
  In-situ分光エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察
  第53回応用物理学関係連合講演会 (24a-ZP-9)（東京）(2006.3).
• 谷岡健太郎, 遠藤雄太, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 青木大一郎, 尾鍋研太郎
  ラマン分光を用いたGaAsN混晶の発光効率向上に関する研究
  第53回応用物理学関係連合講演会 (24a-P-7)（東京）(2006.3).<
• 岩橋洋平, 折原　操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史
  RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(IV)
  第53回応用物理学関係連合講演会 (26p-ZE-2)（東京）(2006.3).

著書

• 「ＳｉＣパワーデバイス最新技術　＝次世代パワーエレクトロニクス＝」第19章分筆、サイエンス＆テクノロジー（2010.5.14発刊）

• 「超高耐圧・高温動作システムの実現に向けたSiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術」第1章第8節分筆、技術情報協会（2010.2.25発刊）

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