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論文
- I. Capan, T. Brodar, Y. Yamazaki, Y. Oki, T. Ohshima, Y. Chiba, Y. Hijikata, L. Snoj, and V. Radulovic'
Influence of neutron radiation on majority and minority carrier traps in n-type 4H-SiC
Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, Vol. 478, pp. 224-228 (2020).
DOI: 10.1016/j.nimb.2020.07.005
- N. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, T. Ohshima
Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC
Mater. Sci. Forum, Vol. 1004, pp. 349-354 (2020).
PDF(0.7MB)
- Y. Chiba, Y. Yamazaki, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, T. Ohshima
Enhancement of ODMR Contrasts of Silicon Vacancy in SiC by Thermal Treatment
Mater. Sci. Forum, Vol. 1004, pp. 337-342 (2020).
PDF(0.8MB)
- S.-i. Sato, N. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles
Mater. Sci. Forum, Vol. 1004, pp. 355-360 (2020).
PDF(1.5MB)
- Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
Optically detected magnetic resonance study of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes
Mater. Sci. Forum, Vol. 1004, pp. 343-348 (2020).
PDF(1.7MB)
- A. Takeyama, T. Makino, S. Okubo, Y. Tanaka, T. Yoshie, Y. Hijikata, T. Ohshima
Radiation response of negative gate biased SiC MOSFETs
Materials, Vol. 12, a.n. 2741 (2019).
PDF(1.5MB)
- S.-i. Sato, N. Narahara, Y. Abe, Y. Hijikata, T. Umeda, T. Ohshima
Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties
J. Appl. Phys., Vol. 126, a.n. 083105 (2019).
DOI: 10.1063/1.5099327
- Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
Creation of Color Centers in SiC PN Diodes Using Proton Beam Writing
Mater. Sci. Forum, Vol.963, pp. 709-713 (2019).
PDF(1.8MB)
- Yasuto Hijikata
Macroscopic simulations of the SiC thermal oxidation process based on the Si and C emission model
Diamond Relat. Mater., Vol. 92 pp. 253-258 (2019).
DOI: 10.1016/j.diamond.2019.01.012
- Yu-ichiro Matsushita, Yoritaka Furukawa, Yasuto Hijikata, and Takeshi Ohshima
First-principles study of oxygen-related defects on 4H-SiC surface: The effects of surface amorphous structure
Appl. Surf. Sci., Vol. 464, pp. 451-454 (2019).
DOI: 10.1016/j.apsusc.2018.09.072
- Yasuto Hijikata, Takashi Horii, Yoritaka Furukawa, Yu-ichiro Matsushita, and Takeshi Ohshima
Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals
J. Phys. Commun., Vol. 2 , a.n. 111003 (2018).
PDF(1.1MB)
- ((Invited Paper)) Y. Yamazaki, Y. Chiba, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, T. Ohshima
Electrically controllable position-controlled color centers created in SiC pn junction diode by proton beam writing
J. Mater. Res., Vol. 33, pp.3355-3361(2018).
DOI: 10.1557/jmr.2018.302
- S.-i. Sato, T. Honda, T. Makino, Y. Hijikata, S.-Y. Lee, and T. Ohshima
Room temperature electrical control of single photon sources at 4H-SiC surface
ACS Photonics, Vol. 5, pp. 3159-3165 (2018).
DOI: 10.1021/acsphotonics.8b00375
- H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S.-I. Sato, Y. Hijikata, and T. Ohshima
Various Single Photon Sources Observed in SiC pin Diodes
Mater. Sci. Forum, Vol.924, pp. 204-207(2018).
PDF(1.1MB)
- Ryosuke Asafuji and Yasuto Hijikata
Generation of stacking faults in 4H-SiC epilayer induced by oxidation
Mater. Res. Express, vol. 5, a.n. 015903 (2018).
PDF(3.4MB)
- T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, M. Haruyama, T. Kamiya, T. Satoh, Y. Hijikata, W. Kada, O. Hanaizumi, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson,
H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
Creation and Functionalization of Defects in SiC by Proton Beam Writing
Mater. Sci. Forum, Vol.897, pp.233-237 (2017).
PDF(0.5MB)
- Hannes Kraus, Dmitrij Simin, Christian Kasper, Yoshinori Suda, Shunsuke Kawabata, Wataru Kada, Tomoya Honda, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima, Vladimir Dyakonov, Georgy Astakhov
Three-Dimensional Proton Beam Writing of Optically Active Coherent Vacancy Spins in Silicon Carbide
Nano Lett., vol. 17, pp.2865-2870 (2017).
DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b05395
- Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Koichi Murata, Takashi Yokoseki, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shi-nobu Onoda, Takeshi Ohshima, Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, and Yasuto Hijikata
Optimum Structures for Gamma-ray Radiation Resistant SiC-MOSFETs
Phys. Status Solidi A, vol. 214, a.n. 1600425 (2017).
PDF(1.4MB)
- Koichi Murata, Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Takashi Yokoseki, Takahiro Makino, Shi-nobu Onoda, Akinori Takeyama, Takeshi Ohshima, Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, and Yasuto Hijikata
Impacts of Gate Bias and its Variation on Gamma-ray Irradiation Re-sistance of SiC MOSFETs
Phys. Status Solidi A, vol. 214, a.n. 1600446 (2017).
PDF(1.5MB)
- Akinori Takeyama, Takuma Matsuda, Takashi Yokoseki, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Takahiro Makino, Shinobu Onoda, Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima
Improvement of radiation response of SiC MOSFETs under high temperature and humidity circumstance
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, a.n. 104101 (2016).
PDF(780kB)
- T. Miyazaki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers
Superlattices and Microstructures, Vol. 99, pp.197-201 (2016).
PDF(0.8MB)
- Daisuke Goto and Yasuto Hijikata
Unified theory of silicon carbide oxidation based on the Si and C emission model
J. Phys. D: Appl. Phys., Vol.49, a.n. 225103 (2016).
PDF(1.3MB)
- Yugo Kobayashi, Takashi Yokoseki, Takuma Matsuda, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Michihiro Hachisuka, Yasuyoshi Kaneko, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata
Gamma-ray irradiation response of the motor-driver circuit with SiC MOSFETs
Mater. Sci. Forum, Vol.858, p.868 (2016).
PDF(0.3MB)
- Takuma Matsuda, Takashi Yokoseki, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Takahiro Makino, Hiroshi Abe, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima
Change in Characteristics of SiC MOSFETs by Gamma-ray Irradiation at High Temperature
Mater. Sci. Forum, Vol.858, p.860 (2016).
PDF(0.6MB)
- T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
Radiation Response of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Transistors in High Dose Region
Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 55, a.n.01AD01 (2016).
PDF(0.6MB)
国際会議
- Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
Structural Identification of the Single-Photon Sources Formed on SiC Surface
using Isotope Oxygen
4th QST international symposium (Online) 1-10, 2020.11.4.
- ((The best poster presentation award))S.-i. Sato, T. Narahara, T. Higuchi, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
NCVSi- Centers in Silicon Carbide and Their Photoluminescence Properties
The 2nd International Forum on Quantum Metrology and Sensing (IFQMS), Q-Leap, 2019.12.17.
- T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, T. Ohshima
Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto) Tu-P-12, 2019.10.1.
- Y. Chiba, Y. Yamazaki, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, T. Ohshima
Enhancement of ODMR Contrasts of Silicon Vacancy in SiC by Thermal Treatment
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto) Tu-3B-07, 2019.10.1.
- S.-i. Sato, T. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto) Mo-P-13, 2019.9.30.
- Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
Optically detected magnetic resonance study of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto) Mo-3B-04, 2019.9.30.
- Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
Optical properties of simultaneous optically and electrically excited silicon vacancies in SiC pn diodes
QST IRI Workshop, QST, 2019.9.4.
- T. Ohshima, S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Yamazaki, Y. Abe, T. Umeda, Y. Hijikata
Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation
30th International Conference on Defects in Smiconductors (ICDS-30) (Seattle, WA, USA) 2019.7.22.
- ((Invited))Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
Room temperature electronic-controllable quantum devices using single-photon sources in SiC crystals
2nd The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2019 (Beijing, China) 2019.7.18.
- ((Invited))Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
Structure identification and characterization of the single-photon sources formed on the surface of silicon carbide crystal
2019 Energy Materials and Nanotechnology on Epitaxy (EMN Meeting on Epitaxy 2019) (Amsterdam, Netherland) A40, 2019.6.20.
- ((Invited))T. Ohshima, Y. Yamazaki, Y. Chiba, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, W. Kada
Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing
Quantum 2019（Torino, Italy) 2019.5.28.
- ((Plenary talk))Yasuto Hijikata
Room temperature electronic-driven quantum devices using single defects in silicon carbide semiconductors
2019 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED-2019) (Prague, Czech) 2018.4.23.
- ((Keynote talk))Yasuto Hijikata
Growth Rate Simulations of Oxide Films on Silicon Carbide based on the Si and C Emission Model
2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018) (Zhuhai, China) 2018.12.25.
- ((Student award))Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato,
N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, T. Ohshima, Y. Hijikata
Creating single photon sources in SiC pn diodes using proton beam writing
2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018) (Zhuhai, China) 2018.12.25.
- Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato,
N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
Creation of electrically controllable radiation centers in SiC using proton beam writing
Europe. Conf. SiC and Related Materials (ECSCRM2018) (WE.01b.05) (Birmingham, UK) 2018.9.5.
- T. Makino, S. Takano, S. Harada, Y. Hijikata, and T. Ohshima
Gate Structure Dependence of Charge Collection and Single Event Burnout Tolerance for SiC MOSFETs
2018 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (NSREC) (Hawaii, USA) (PG2) 2018.7.18.
- ((Invited))Yasuto Hijikata
A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model
The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2018 (Beijing, China) 2018.7.11.
- Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer
European Materials Research Society (E-MRS) 2018 Spring Meeting (Strasbourg, France) (I.8.3) 2018.6.20.
- ((Invited))T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S.-i. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata
Functionalization of Silicon Carbide by Particle Irradiation toward Quantum Devices
2017 MRS Fall meeting (Boston, USA) (EM04.05.07) 2017.12.6.
- Y. Hijikata, S. Akahori, and T. Ohshima
Enhanced Single Photon Emission near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer
Inter. Conf. SiC and Related Materials (ICSCRM2017) (TH.B1.2) (Washington D.C.) 2017.9.21.
- H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S-I. Sato, Y. Hijikata, and T. Ohshima
Various single photon sources observed in SiC pin diodes
Inter. Conf. SiC and Related Materials (ICSCRM2017) (TU.BP.10) (Washington D.C.) 2017.9.19.
- H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, W. Kada, Y. Hijikata, C. J. Cochrane, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. Astakhov
Contraolled 3D Placement of Vacancy Spins for Quantum Applications in Silicon Carbide
Inter. Conf. SiC and Related Materials (ICSCRM2017) (FR.B1.4) (Washington D.C.) 2017.9.23.
- ((Invited))T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
Creation of Single Photon Sources in Wide Bandgap Semiconductors by Ion Irradiation
26th Annual Meeting of MRS-J (D3-I20-001) (Yokohama) 2016.12.20.
- T. Makino, S. Takano, S. Harada, K. Kojima, Y. Hijikata, and T. Ohshima
Heavy Ion Induced Charge Collection in SiC MOSFETs
26th Annual Meeting of MRS-J (D3-P21-010) (Yokohama) 2016.12.21.
- ((Invited))T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
Creation of single photon emitters in silicon carbide using particle beam irradiation
20th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM2016) (Wellington, New Zealand) 2016.11.1.
- ((Invited))T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
Creation and Functionalization of Defects in SiC by Irradiation and Thermal Treatment
11th European Conference on SiC and Related Materials (ECSCRM2016) (We3b-1) (Halkidiki, Greece) 2016.9.28.
- ((Invited))Ryosuke Asafuji and Yasuto Hijikata
Generation of stacking faults in 4H-SiC epilayer during oxidation
Energy Materials Nanotechnology (EMN) on Epitaxy 2016 (A05) (Budapest, Hungary) 2016.9.5.
- Koichi Murata, Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Takashi Tokoseki, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda,Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Takeshi Ohshima , Yasuto Hijikata
Impacts of Gate Bias and its Variation on Gamma-ray Irradiation Resistance of SiC MOSFETs
European Materials Research Society (E-MRS) 2016 Spring Meeting (L.P.I.8) (Lille, France) 2016.5.4.
- S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Tokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
Optimum Structures for Gamma-ray Radiation Resistant SiC-MOSFETs
European Materials Research Society (E-MRS) 2016 Spring Meeting (L.P.I.9) (Lille, France) 2016.5.4.
- T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
Development of Super Radiation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Transistor Based on Silicon Carbide
International Workshop on Radiation Resistant Sensors and Related Technologies for Nuclear Power Plant Decommissioning 2016 (R2SRT2016) (Iwaki) 2016.4.20.
国内発表
- 冨高 祐哉，楢原 拓真, 佐藤 真一郎, 大島 武, 児島 一聡, 土方 泰斗
SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定
先進パワー半導体分科会第7回講演会 (IB-1) (オンライン) 2020.12.9.
- 佐藤 真一郎, 楢原 拓真, 山崎 雄一, 樋口 泰成, 小野田 忍, 土方 泰斗, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, 大島 武
量子ビームを用いて形成した炭化ケイ素中の窒素・空孔複合欠陥の 近赤外発光特性
QST高崎サイエンスフェスタ2019, QST高崎サイエンスフェスタ2019事務局, 2019.12.10.
- 山﨑 雄一，千葉 陽史，佐藤 真一郎，牧野 高絋，山田 尚人，佐藤 隆博，土方 泰斗，児島 一聡，土田 秀一，星野 紀博，大島 武
SiCデバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性
先進パワー半導体分科会第6回講演会 (IIA-3) (広島) 2019.12.4.
- 千葉 陽史，山﨑 雄一，牧野 高絋，佐藤 真一郎，山田 尚人，佐藤 隆博，児島 一聡，土方 泰斗，大島 武
SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響
先進パワー半導体分科会第6回講演会 (IIB-1) (広島) 2019.12.4.
- 楢原 拓真，佐藤 真一郎，児島 一聡，山﨑 雄一，土方 泰斗，大島 武
4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係
先進パワー半導体分科会第6回講演会 (IIB-2) (広島) 2019.12.4.
- 新田 翔司，土方 泰斗
PLイメージング法による異なるオフカット角を有する4H-SiC基板中の酸化誘起積層欠陥の観測
先進パワー半導体分科会第6回講演会 (IIB-7) (広島) 2019.12.4.
- 小野寺 奎, 鎌田 憲彦, 土方 泰斗, 武山 昭憲, 大島 武, 吉江 徹
Below-Gap励起光を用いたFET構造4H-SiCの欠陥準位の検出
第80回応用物理学会秋季学術講演 (19p-PB4-3) (札幌) 2019.9.19.
- 楢原 拓真，佐藤 真一郎，児島 一聡, 山﨑 雄一，土方 泰斗，大島 武
4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (20p-E311-15) (札幌) 2019.9.20.
- 千葉 陽史，山崎 雄一郎，牧野 高紘，佐藤 真一郎，山田 尚人，佐藤 隆博，土方 泰斗，大島 武
SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (20p-E311-16) (札幌) 2019.9.20.
- 山崎 雄一郎，千葉 陽史，佐藤 真一郎，牧野 高紘，山田 尚人，佐藤 隆博，土方 泰斗，児嶋 一聡，土田 秀一，星乃 紀博，大島 武
SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (20p-E311-17) (札幌) 2019.9.20.
- 【Poster Award】土方 泰斗，松下 雄一郎，大島 武
同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定
第66回応用物理学会春季学術講演会 (9a-PB3-5) (大岡山) 2019.3.9.
- 楢原 拓真，佐藤 真一郎，土方 泰斗，大島 武
4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響
第66回応用物理学会春季学術講演会 (11p-70A-14) (大岡山) 2019.3.11.
- 山崎 雄一郎，常見 大貴，佐藤 真一郎，土方 泰斗，大島 武
γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響
第66回応用物理学会春季学術講演会 (11p-70A-15) (大岡山) 2019.3.11.
- 赤川拓，川原藤樹，金子裕良，武山昭憲，大島武，土方泰斗
SiC半導体を用いた非接触給電装置の耐放射線性評価
先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IIB-28) (京都) 2018.11.7.
- 常見 大貴，佐藤 真一郎，山﨑 雄一，牧野 高絋，土方 泰斗，大島 武
SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性
先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IIB-24) (京都) 2018.11.7.
- 山﨑 雄一，千葉 陽史，牧野 高絋，佐藤 真一郎，山田 尚人，佐藤 隆博，加田 渉，土方 泰斗，児島 一聡，S.-Y.Lee，大島 武
プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究
先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IIB-5) (京都) 2018.11.7.
- 千葉 陽史，山﨑 雄一，牧野 高絋，佐藤 真一郎，山田 尚人，佐藤 隆博，児島 一聡，土方 泰斗，大島 武
プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定
先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IIA-10) (京都) 2018.11.7.
- 楢原拓真，佐藤 真一郎，土方泰斗，大島武
4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性
先進パワー半導体分科会第5回講演会 (IA-7) (京都) 2018.11.6.
- 山﨑 雄一，千葉 陽史，牧野 高絋，山田 尚人，佐藤 隆博，土方 泰斗，児島 一聡，大島 武
プロトンビーム描画プロセスがSiC pnダイオード中に導入したシリコン空孔の光学特性に与える影響
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (21a-141-10) (名古屋) 2018.9.21.
- 千葉 陽史，山﨑 雄一，牧野 高絋，佐藤 真一郎，山田 尚人，佐藤 隆博，児島 一聡，土方 泰斗，大島 武
プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (21a-141-11) (名古屋) 2018.9.21.
- 常見 大貴，佐藤 真一郎，山﨑 雄一，牧野 高絋，土方 泰斗，大島 武
SiC p+nn+ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (21a-141-12) (名古屋) 2018.9.21.
- 音嶋俊介，松下雄一郎，大島武，土方泰斗
SiC半導体表面に形成した単一光子源の低温フォトルミネッセンス特性
第79回応用物理学会秋季学術講演会 (21a-141-13) (名古屋) 2018.9.21.
- 【優秀ポスター賞】土方 泰斗，牧野 高紘，佐藤 真一郎，山崎雄一，大島 武
SiC半導体が実現する室温電子駆動量子センサ
第2回量子生命科学研究会第２回学術集会 (P1) (東大本郷) 2018.5.10.
- 千葉陽史，常見 大貴，本多 智也，牧野 高紘，佐藤 真一郎，山田尚人，佐藤隆博，土方 泰斗，大島 武
プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成
第65回応用物理学会春季学術講演会 (19p-Ｄ103-10) (早稲田) 2018.3.19.
- 古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎
4H-SiC酸化によるアモルファス構造が表面単一光子源に与える影響の理論的分析
第65回応用物理学会春季学術講演会 (18a-G204-1) (早稲田) 2018.3.18.
- 赤堀周平，古川頼誉，松下雄一郎，大島武，土方泰斗
4H-SiCエピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上
第65回応用物理学会春季学術講演会 (18p-P14-6) (早稲田) 2018.3.18.
- 武山昭憲，牧野高紘，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，土方泰斗，大島武
チャネルサイズがSiC-MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼす影響
第65回応用物理学会春季学術講演会 (18p-P14-18) (早稲田) 2018.3.18.
- 本多智也，常見大貴，小野田忍，牧野高紘，佐藤真一郎，土方泰斗，大島武
バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化
先進パワー半導体分科会第4回講演会 (IA-16) (名古屋) 2017.11.1.
- 古川頼誉，土方泰斗，大島武，松下雄一郎
SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析
先進パワー半導体分科会第4回講演会 (IA-18) (名古屋) 2017.11.1.
- 高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武
トレンチゲート型SiC-MOSFETにおける放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (IB-15) (名古屋) 2017.11.1.
- 武山 昭憲，松田 拓磨，三友 啓，村田 航一，牧野 高紘，小野田 忍，大久保 秀一，田中 雄季，神取 幹郎，吉江 徹，土方 泰斗，大島 武
負ゲートバイアス印加によるSiC MOSFETのガンマ線照射劣化挙動
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (IIA-23) (名古屋) 2017.11.2.
- 常見 大貴、本多 智也、牧野 高絋、小野田 忍、佐藤 真一郎、土方 泰斗、大島 武
SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光特性
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (IIB-26) (名古屋) 2017.11.2.
- 赤堀 周平、古川 頼誉、松下 雄一郎、大島 武、土方 泰斗
4H-SiCエピ層における積層欠陥近傍の単一光子源の発光特性
第78回応用物理学会秋季学術講演会 (6p-A201-16) (福岡) 2017.9.6.
- 常見 大貴、本多 智也、牧野 高絋、小野田 忍、佐藤 真一郎、土方 泰斗、大島 武
SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光スペクトル
第78回応用物理学会秋季学術講演会 (6p-A201-17) (福岡) 2017.9.6.
- 本多 智也、常見 大貴、児島 一聡、佐藤 真一郎、牧野 高紘、小野田 忍、土方 泰斗、大島 武
SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化
第78回応用物理学会秋季学術講演会 (6p-A201-18) (福岡) 2017.9.6.
- 高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武
重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程
第78回応用物理学会秋季学術講演会 (5p-PB8-8) (福岡) 2017.9.5.
- 武山 昭憲，牧野 高紘，大久保 秀一，田中 雄季，神取 幹郎，吉江 徹，土方 泰斗，大島 武
負ゲートバイアス印加がSiC MOSFETのガンマ線照射劣化に及ぼす影響
第78回応用物理学会秋季学術講演会 (5p-PB8-7) (福岡) 2017.9.5.
- 常見 大貴、本多 智也、牧野 高紘、小野田 忍、佐藤 信一郎、土方 泰斗、大島 武
SiC pinダイオード中の発光中心の観察
第64回応用物理学会春季学術講演会 (15p-F204-15) (横浜) 2017.3.15.
- 牧野高紘，高野修平，原田信介，児島一聡，土方泰斗，大島武
SiC-MOSFETにおける高エネルギー重イオン誘起電荷収集の電圧依存
第64回応用物理学会春季学術講演会 (16a-P5-8) (横浜) 2017.3.16.
- 武山昭憲，松田拓磨，三友啓，村田航一，牧野高紘，小野田忍，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，土方泰斗，大島武
高温環境によるSiC MOSFETs のガンマ線照射劣化の抑制
第64回応用物理学会春季学術講演会 (16a-P5-9) (横浜) 2017.3.16.
- 本多智也，Hannes Kraus，加田渉，小野田忍，須田義規，春山盛善，佐藤隆博，江夏昌志，神谷富裕，川端駿介，三浦健太，花泉修，土方泰斗，大島武
プロトンビームライティングによるSiC中へのシリコン空孔の形成
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (P-57) (つくば) 2016.11.8.
- 牧野 高紘，高野 修平，原田 信介，児島 一聡，土方 泰斗，大島 武
SiC MOSFETにおける高エネルギー重イオン誘起電荷過剰収集
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (P-110) (つくば) 2016.11.8.
- 高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，児島 一聡，土方 泰斗，大島 武
重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起電荷のイオンエネルギー・電圧依存性
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (P-112) (つくば) 2016.11.8.
- 村田 航一，松田 拓磨，三友 啓，横関 貴史，牧野 高紘，武山 昭憲，小野田 忍，大島 武，大久保 秀一，田中 雄季，神取 幹郎，吉江 徹，土方 泰斗
ゲートバイアス印加条件がSiC MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼす影響
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (P-113) (つくば) 2016.11.8.
- 三友 啓，松田 拓磨，村田 航一，横関 貴史，牧野 高紘，武山 昭憲，小野田 忍，大島 武，大久保 秀一，田中 雄季，神取 幹郎，吉江 徹，土方 泰斗
ガンマ線耐性向上に向けたSiC-MOSFETの構造最適化の検討
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (P-114) (つくば) 2016.11.8.
- 武山 昭憲，松田 拓磨，三友 啓，村田 航一，牧野 高紘，小野田 忍，大久保 秀一，田中 雄季，神取 幹郎，吉江 徹，土方 泰斗，大島 武
複合環境下でのガンマ線照射によるSiC MOSFETの電気特性変化
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (P-115) (つくば) 2016.11.8.
- 松田 拓磨，横関 貴史，三友 啓，村田 航一，牧野 高紘，武山 昭憲，小野田 忍，大久保 秀一，田中 雄季，神取 幹郎，吉江 徹，大島 武，土方 泰斗
高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの照射後経時変化について
先進パワー半導体分科会第3回講演会 (P-116) (つくば) 2016.11.8.
- 本多 智也、小野田 忍、土方 泰斗、大島 武
3C-SiC中の表面に形成される単一発光源の発光特性と表面処理
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (15p-C302-7) (新潟) 2016.9.15.
- 高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，児島 一聡，土方 泰斗，大島 武
重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (14p-P9-13) (新潟) 2016.9.14.
- 牧野 高紘，高野 修平，原田 信介，児島 一聡，土方 泰斗，大島 武
SiC-MOSFETにおけるイオン誘起電荷過剰収集
第77回応用物理学会秋季学術講演会 (14p-P9-14) (新潟) 2016.9.14.
- 【招待講演】土方 泰斗
SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
応用物理学会先進パワー半導体分科会第２回個別討論会 (名古屋) 2016.8.1.
- 本多 智也、Kraus Hannes、加田 渉、小野田 忍、春山 盛善、佐藤 隆博、江夏 昌志、神
谷 富裕、川端 駿介、三浦 健太、花泉 修、土方 泰斗、大島 武
プロトンマイクロビーム照射によるSiC中の発光中心の形成
第63回応用物理学会春季学術講演会 (20a-H101-10) (東京) 2016.3.20.
- 武山昭憲，松田拓磨，横関貴史，三友啓，村田航一，牧野高紘，小野田忍，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，大島武，土方泰斗
高温・高湿度雰囲気中γ線照射によりSiC MOSFETsに生成される電荷の線量依存
第63回応用物理学会春季学術講演会 (21p-P10-18) (東京) 2016.3.21.
- 三友啓，松田拓磨，村田航一，横関貴史，牧野高紘，武山昭憲，小野田忍，大久保秀一，田中雄季，神取幹郎，吉江徹，大島武，土方泰斗
ガンマ線照射耐性における SiC-MOSFET の構造最適化
第63回応用物理学会春季学術講演会 (21p-P10-19) (東京) 2016.3.21.
- 村田 航一，三友 啓，松田 拓磨，横関貴史，牧野 高紘，武山 昭憲，小野田 忍，大久保 秀一，田中 雄季，神取 幹郎，吉江 徹，大島 武，土方 泰斗
SiC MOSFET のガンマ線照射効果に及ぼすゲートバイアスの影響
第63回応用物理学会春季学術講演会 (21p-P10-20) (東京) 2016.3.21.
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