Top Page

研究業績リスト（2021年〜現在）

menu

• 自己紹介
• 研究紹介
• 担当授業
• リンク集

paper list

• 光ファイバセンサ関連
• 1999〜2005年
• 2006〜2010年
• 2011年〜2015年
• 2016年〜2020年
• 2021年〜現在

information

国際会議リストへ

国内発表リストへ

著書リストへ

論文

• S. Motoki, S.-i. Sato, S. Saiki, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, T. Ohshima, K. Murata, H. Tsuchida, and Y. Hijikata
  Optically Detected Magnetic Resonance of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Elevated Temperatures toward Magnetic Sensing under Harsh Environments
  J. Appl. Phys., Vol. 133, a.n. 154402 (2023)..
  DOI: 10.1063/5.0139801

• M. Shimizu, M. Shugo, S. Mori, Y. Hijikata, and S. Aikawa
  The influence of oxygen related defects on the formation of In2O3-based low fluorescence transparent conducting film
  Phys. Status Solidi A, Vol. 220, a.n. 2200896 (2023).
  PDF DOI: 10.1002/pssa.202200896

• T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y. Nishiya, Y.-i. Matsushita, K. Harii, Y. Masuyama, Y. Hijikata, and T. Ohshima
  Spin property improvement of boron vacancy defect in hexagonal boron nitride by thermal treatment
  Appl. Phys. Express, Vol. 16, a.n. 032006 (2023)..
  DOI: 10.35848/1882-0786/acc442

• Y. Hijikata, S. Komori, S. Otojima, Y.-i. Matsushita, T. Ohshima
  Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces
  Appl. Phys. Lett., Vol. 118, a.n. 204005 (2021).
  PDF(2.2MB) DOI: 10.1063/5.0048772

• T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Hijikata, T. Ohshima
  Influences of hydrogen ion irradiation on N_CV_Si^- formation in 4H-Silicon Carbide
  Appl. Phys. Express, Vol. 14, a.n. 021004 (2021).
  DOI: 10.35848/1882-0786/abdc9e

• Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-I. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, S.-Y. Lee, T. Ohshima
  Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations
  Appl. Phys. Lett., Vol. 118, a.n. 021106 (2021).
  DOI: 10.1063/5.0028318

国際会議

• ((Invited)) Y. Hijikata
  Density and polarization controls of the single photon sources formed at the MOS interface
  The 4th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2023 (Beijing, China) 2023.11.10.

• ((Invited)) Y. Hijikata
  Characteristics of the single photon sources formed at the MOS interface
  The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2022 (Xuzhou, China / Online) 2022.11.14-16.

• T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
  Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation
  32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), (Lisbon, Portugal) O09B.1, 2022.9.6.

• S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
  Magnetic Sensitivity of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Different Temperatures
  Defects in solids for quantum technologies (DSQT) (Stockholm, Sweden), 2022.6.16.

• S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
  Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC with different temperatures
  4th International Forum on Quantum Metrology and Sensing (IFQMS) (Online) SE-03A-alpha2-05, 2021.12.8.
• T. suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
  Thermal effects on generation of spin defects in hexagonal boron nitride
  4th International Forum on Quantum Metrology and Sensing (IFQMS) (Online) SE-03A-beta1-07, 2021.12.8.

• K. Sugimoto, Y. Hijikata, M. Shimizu
  Constructing a thermoelectric measurement system by using nitrogen−vacancy center in nanodiamonds
  14th International Conference on New Diamond and Nano Cabons (NDNC) 2020/2021 (Online) 8A-20, 2021.6.8.

国内発表

• 山城 宏育, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 張 盛杰, 山�� 雄一, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島 武
  ¹²C濃縮4H-SiC中に形成したシリコン空孔のODMR特性
  第71回応用物理学会春季学術講演会 (23a-52A-7) (世田谷/オンライン) 2024.3.23.
• 六田 大貴, 針井 一哉, Qixian Liao, 丁 浩, 好田 誠, 土方 泰斗, 大島 武
  4H-SiC及びSiO2上Pt/Co強磁性薄膜の磁気異方性制御
  第71回応用物理学会春季学術講演会 (25a-12F-7) (世田谷/オンライン) 2024.3.25.
• 川口 拓真, 大石 竜嗣, 清水 麻希, 土方 泰斗, 相川 慎也
  RFマグネトロンスパッタ法で作製したSnO2:N薄膜のバルク内酸素空孔低減およびバルク内組成の評価
  第71回応用物理学会春季学術講演会 (24p-P16-14) (世田谷/オンライン) 2024.3.24.
• 大石 竜嗣, 木菱 完太, 土方 泰斗, 波多野 睦子, 牧野 俊晴, 相川 慎也, 清水 麻希
  低蛍光強度の透明導電膜を用いたNVセンタの電荷制御
  第71回応用物理学会春季学術講演会 (25a-P06-3) (世田谷/オンライン) 2024.3.25.
• 小島 翔太, 山口 智弘, 土方 泰斗, 石橋 幸治, 清水 麻希
  ナノダイヤモンドNVセンタにおける被膜の影響
  第71回応用物理学会春季学術講演会 (24p-1BB-15) (世田谷/オンライン) 2024.3.24.

• 大山倫句，土方 泰斗
  熱酸化時の酸素圧によるSiO₂/SiC界面単一光子源の偏光制御
  先進パワー半導体分科会第10回講演会 (IB-10) (金沢) 2023.11.30.

• 張 盛杰, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 元木 秀, 張 啓航, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島 武
  電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係
  第70回応用物理学会春季学術講演会 (15a-A301-1) (四谷/オンライン) 2023.3.15.
• 張 啓航, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 元木 秀, 張 盛杰, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島 武
  電子線照射による 4H-SiC 中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成
  第70回応用物理学会春季学術講演会 (15a-A301-2) (四谷/オンライン) 2023.3.15.
• 杉本 昂暉, 土方 泰斗, 清水 麻希
  ナノダイヤモンド温度センサを用いたカーボンナノチューブの熱電測定
  第70回応用物理学会春季学術講演会 (17a-A302-2) (四谷/オンライン) 2023.3.17.

• 元木 秀, 佐藤 真一郎, 佐伯 誠一，村田 晃一，増山 雄太, 山�� 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
  高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成
  第83回応用物理学会秋季学術講演会 (20a-C306-2) (仙台/オンライン) 2022.9.20.

• 鈴木 哲太, 山崎 雄一, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 松下 雄一郎, 西谷 侑将, 増山 雄太, 土方 泰斗, 大島 武
  高温イオン照射によるhBN中ホウ素空孔欠陥形成
  第69回応用物理学会春季学術講演会 (25p-E204-5) (相模原/オンライン) 2022.3.25.
• 元木 秀, 佐藤 真一郎, 増山 雄太, 山�� 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
  電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量
  第69回応用物理学会春季学術講演会 (25a-E301-2) (相模原/オンライン) 2022.3.25.
• 松下 大記, 佐藤 真一郎, 大島 武, 土方 泰斗
  4H-SiC 結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性
  第69回応用物理学会春季学術講演会 (25a-E301-3) (相模原/オンライン) 2022.3.25.
• 守護 理高, 清水 麻希, 土方 泰斗, 相川 慎也, 森 峻
  低蛍光強度の透明導電膜の形成
  第69回応用物理学会春季学術講演会 (23p-P12-11) (相模原/オンライン) 2022.3.23.

• 小森翔太，土方 泰斗
  熱酸化したSiC半導体表面に形成する単一光子源の偏光特性
  先進パワー半導体分科会第8回講演会 (IB-4) (オンライン) 2021.12.9.

• 鈴木 哲太，山崎 雄一，谷口 尚，渡邊 賢司，松下 雄一郎，針井 一哉，圓谷 志郎，増山 雄太，土方 泰斗，大島 武
  ２次元薄膜h-BNのスピン欠陥形成及びその光学特性の測定
  第82回応用物理学会秋季学術講演会 (12a-S301-11) (オンライン) 2021.9.12.
• 元木 秀, 佐藤 真一郎, 増山 雄太, 山�� 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
  4H-SiC中シリコン空孔における光検出磁気共鳴スペクトルの温度依存性
  第82回応用物理学会秋季学術講演会 (12a-N305-8) (オンライン) 2021.9.12.

• 若林 健，冨高 祐哉，楢原 拓真, 佐藤 真一郎，児島一聡，大島 武, 土方 泰斗
  SiC 結晶中窒素空孔センタの量子状態測定
  第68回応用物理学会春季学術講演会 (17a-P01-2) (オンライン) 2021.3.17.

著書

• Y. Hijikata, Y.-I. Matsushita, and T. Ohshima
  "SiC thermal oxidation process and MOS interface characterizations: From carrier transportation to single-photon source" (Chapter 8) in "Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices"
  Ed. Zhe C. Feng, Taylor & Francis, CRC (May 31, 2023).
  www.routledge.com/9780367188269

論文リストへ

国際会議リストへ

国内発表リストへ

URL[http://www.opt.ees.saitama-u.ac.jp/yasuto/index-j.html]