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論文
- M. Samad, M. Shimizu, and Y. Hijikata
Demonstration of Quantum Polarized Microscopy using an Entangled-Photon Source
Photonics, Vol. 12, a.n. 127 (2025).
PDF DOI: 10.3390/photonics12020127
- M. Shimizu, K. Sugimoto, and Y. Hijikata
Thermoelectric measurements of nanomaterials by nanodiamond quantum thermometry
Appl. Phys. Express, Vol. 17, a.n. 095001 (2024).
PDF,suppl DOI: 10.35848/1882-0786/ad6fe9
- 川口 拓真, 大石 竜嗣, 清水 麻希, 土方 泰斗, 相川 慎也
Ar/N2混合雰囲気中RFマグネトロンスパッタリング法で作製したアモルファスSnO2:N薄膜の特性評価
電気学会論文誌C, Vol. 144, pp. 1093-1099 (2024).
DOI: 10.1541/ieejeiss.144.1093
- S. Motoki, S.-i. Sato, S. Saiki, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, T. Ohshima, K. Murata, H. Tsuchida, and Y. Hijikata
Optically Detected Magnetic Resonance of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Elevated Temperatures toward Magnetic Sensing under Harsh Environments
J. Appl. Phys., Vol. 133, a.n. 154402 (2023)..
DOI: 10.1063/5.0139801
- M. Shimizu, M. Shugo, S. Mori, Y. Hijikata, and S. Aikawa
The influence of oxygen related defects on the formation of In2O3-based low fluorescence transparent conducting film
Phys. Status Solidi A, Vol. 220, a.n. 2200896 (2023).
PDF DOI: 10.1002/pssa.202200896
- T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y. Nishiya, Y.-i. Matsushita, K. Harii, Y. Masuyama, Y. Hijikata, and T. Ohshima
Spin property improvement of boron vacancy defect in hexagonal boron nitride by thermal treatment
Appl. Phys. Express, Vol. 16, a.n. 032006 (2023)..
DOI: 10.35848/1882-0786/acc442
- Y. Hijikata, S. Komori, S. Otojima, Y.-i. Matsushita, T. Ohshima
Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces
Appl. Phys. Lett., Vol. 118, a.n. 204005 (2021).
PDF(2.2MB) DOI: 10.1063/5.0048772
- T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Hijikata, T. Ohshima
Influences of hydrogen ion irradiation on NCVSi- formation in 4H-Silicon Carbide
Appl. Phys. Express, Vol. 14, a.n. 021004 (2021).
DOI: 10.35848/1882-0786/abdc9e
- Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-I. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, S.-Y. Lee, T. Ohshima
Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations
Appl. Phys. Lett., Vol. 118, a.n. 021106 (2021).
DOI: 10.1063/5.0028318
国際会議
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((Invited)) Y. Hijikata
A SiC Single-Photon Emitting Device Embedded with the MOS Interface Color Centers
The 5th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2024 (Shenzhen, China) 2024.11.7.
-
R. Oyama and Y. Hijikata
Polarization control of SiO2/SiC interfacial single-photon sources by oxygen pressure during thermal oxidation
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2024 (Raleigh, USA) 2-P-41, 2024.10.2.
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((Invited)) Y. Hijikata
Density and polarization controls of the single photon sources formed at the MOS interface
The 4th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2023 (Beijing, China) 2023.11.10.
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((Invited)) Y. Hijikata
Characteristics of the single photon sources formed at the MOS interface
The 3rd Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2022 (Xuzhou, China / Online) 2022.11.14-16.
-
T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation
32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM2022), (Lisbon, Portugal) O09B.1, 2022.9.6.
- S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
Magnetic Sensitivity of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Different Temperatures
Defects in solids for quantum technologies (DSQT) (Stockholm, Sweden), 2022.6.16.
- S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC with different temperatures
4th International Forum on Quantum Metrology and Sensing (IFQMS) (Online) SE-03A-alpha2-05, 2021.12.8.
- T. suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
Thermal effects on generation of spin defects in hexagonal boron nitride
4th International Forum on Quantum Metrology and Sensing (IFQMS) (Online) SE-03A-beta1-07, 2021.12.8.
- K. Sugimoto, Y. Hijikata, M. Shimizu
Constructing a thermoelectric measurement system by using nitrogen－vacancy center in nanodiamonds
14th International Conference on New Diamond and Nano Cabons (NDNC) 2020/2021 (Online) 8A-20, 2021.6.8.
国内発表
- M. Samad, M. Shimizu, Y. Hijikata
Polarization-Sensitive Quantum Imaging Using an Entangled-Photon Source
第72回応用物理学会春季学術講演会 (14p-K508-3) (野田/オンライン) 2025.3.14.
- 武藤 隆太, 針井 一哉, 清水 麻希, 木菱 完太, 矢崎 結也, 相川 慎也, 大島 武, 土方 泰斗
ITO透明導電膜によるSiC/SiO2界面単一光子源の発光強度制御
第72回応用物理学会春季学術講演会 (14p-K402-6) (野田/オンライン) 2025.3.14.
- 武藤 隆太, 針井 一哉, 清水 麻希, 木菱 完太, 相川 慎也, 大島 武, 土方 泰斗
ITO透明導電膜を用いたSiC/SiO2界面単一光子源の電界制御
先進パワー半導体分科会第11回講演会 (IB-17) (高崎) 2024.11.25.
- 山城 宏育，佐藤 真一郎，村田 晃一，花輪 雅史，山﨑 雄一，土田 秀一，土方 泰斗，大島 武
4H-SiC中シリコン空孔のODMR特性に対する13C核スピンの影響
先進パワー半導体分科会第11回講演会 (IB-18) (高崎) 2024.11.25.
- 大山 倫句, 土方 泰斗
高酸素圧熱酸化によるSiO2/SiC界面単一光子源の偏光制御
第85回応用物理学会秋季学術講演会 (18a-C41-7) (新潟) 2024.9.18.
- 山城 宏育, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 張 盛杰, 山﨑 雄一, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島
武
12C濃縮4H-SiC中に形成したシリコン空孔のODMR特性
第71回応用物理学会春季学術講演会 (23a-52A-7) (世田谷/オンライン) 2024.3.23.
- 六田 大貴, 針井 一哉, Qixian Liao, 丁 浩, 好田 誠, 土方 泰斗, 大島 武
4H-SiC及びSiO2上Pt/Co強磁性薄膜の磁気異方性制御
第71回応用物理学会春季学術講演会 (25a-12F-7) (世田谷/オンライン) 2024.3.25.
- 川口 拓真, 大石 竜嗣, 清水 麻希, 土方 泰斗, 相川 慎也
RFマグネトロンスパッタ法で作製したSnO2:N薄膜のバルク内酸素空孔低減およびバルク内組成の評価
第71回応用物理学会春季学術講演会 (24p-P16-14) (世田谷/オンライン) 2024.3.24.
- 大石 竜嗣, 木菱 完太, 土方 泰斗, 波多野 睦子, 牧野 俊晴, 相川 慎也, 清水 麻希
低蛍光強度の透明導電膜を用いたNVセンタの電荷制御
第71回応用物理学会春季学術講演会 (25a-P06-3) (世田谷/オンライン) 2024.3.25.
- 小島 翔太, 山口 智弘, 土方 泰斗, 石橋 幸治, 清水 麻希
ナノダイヤモンドNVセンタにおける被膜の影響
第71回応用物理学会春季学術講演会 (24p-1BB-15) (世田谷/オンライン) 2024.3.24.
- 大山倫句，土方 泰斗
熱酸化時の酸素圧によるSiO2/SiC界面単一光子源の偏光制御
先進パワー半導体分科会第10回講演会 (IB-10) (金沢) 2023.11.30.
- 張 盛杰, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 元木 秀, 張 啓航, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島
武
電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係
第70回応用物理学会春季学術講演会 (15a-A301-1) (四谷/オンライン) 2023.3.15.
- 張 啓航, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 元木 秀, 張 盛杰, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島
武
電子線照射による 4H-SiC 中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成
第70回応用物理学会春季学術講演会 (15a-A301-2) (四谷/オンライン) 2023.3.15.
- 杉本 昂暉, 土方 泰斗, 清水 麻希
ナノダイヤモンド温度センサを用いたカーボンナノチューブの熱電測定
第70回応用物理学会春季学術講演会 (17a-A302-2) (四谷/オンライン) 2023.3.17.
- 元木 秀, 佐藤 真一郎, 佐伯 誠一，村田 晃一，増山 雄太, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成
第83回応用物理学会秋季学術講演会 (20a-C306-2) (仙台/オンライン) 2022.9.20.
- 鈴木 哲太, 山崎 雄一, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 松下 雄一郎, 西谷 侑将, 増山 雄太, 土方 泰斗, 大島 武
高温イオン照射によるhBN中ホウ素空孔欠陥形成
第69回応用物理学会春季学術講演会 (25p-E204-5) (相模原/オンライン) 2022.3.25.
- 元木 秀, 佐藤 真一郎, 増山 雄太, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量
第69回応用物理学会春季学術講演会 (25a-E301-2) (相模原/オンライン) 2022.3.25.
- 松下 大記, 佐藤 真一郎, 大島 武, 土方 泰斗
4H-SiC 結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性
第69回応用物理学会春季学術講演会 (25a-E301-3) (相模原/オンライン) 2022.3.25.
- 守護 理高, 清水 麻希, 土方 泰斗, 相川 慎也, 森 峻
低蛍光強度の透明導電膜の形成
第69回応用物理学会春季学術講演会 (23p-P12-11) (相模原/オンライン) 2022.3.23.
- 小森翔太，土方 泰斗
熱酸化したSiC半導体表面に形成する単一光子源の偏光特性
先進パワー半導体分科会第8回講演会 (IB-4) (オンライン) 2021.12.9.
- 鈴木 哲太，山崎 雄一，谷口 尚，渡邊 賢司，松下 雄一郎，針井 一哉，圓谷 志郎，増山 雄太，土方 泰斗，大島 武
２次元薄膜h-BNのスピン欠陥形成及びその光学特性の測定
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (12a-S301-11) (オンライン) 2021.9.12.
- 元木 秀, 佐藤 真一郎, 増山 雄太, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
4H-SiC中シリコン空孔における 光検出磁気共鳴スペクトルの温度依存性
第82回応用物理学会秋季学術講演会 (12a-N305-8) (オンライン) 2021.9.12.
- 若林 健，冨高 祐哉，楢原 拓真, 佐藤 真一郎，児島一聡，大島 武, 土方 泰斗
SiC 結晶中窒素空孔センタの量子状態測定
第68回応用物理学会春季学術講演会 (17a-P01-2) (オンライン) 2021.3.17.
著書
-
Y. Hijikata, Y.-I. Matsushita, and T. Ohshima
"SiC thermal oxidation process and MOS interface characterizations: From carrier transportation to single-photon source" (Chapter 8) in "Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices"
Ed. Zhe C. Feng, Taylor & Francis, CRC (May 31, 2023).
www.routledge.com/9780367188269
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