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研究業績リスト（1999〜2005年）

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論文

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, Y. Ishida, M. Yoshikawa, and S. Yoshida
  "Effect of Ar Post-Oxidation Annealing on Oxide-4H-SiC Interfaces Studied by Capacitance to Voltage Measurements and Photoemission Spectroscopy"
  J. Vac. Sci. Technol. A, vol.23(2), pp.298-303 (2005).
  PDF(104KB)

• Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, Y.Takata, K.Kobayashi, S.Shin, H.Nohira, and T.Hattori "Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Measurements using Synchrotron Radiation"
  Mater. Sci. Forum, vol.483-485, pp.585-588 (2005).
  PDF(172KB)

• H. Yaguchi, Y. Kitamura, K. Nishida, Y. Iwahashi, Y. Hijikata and S. Yoshida
  "Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular beam epitaxy"
  Physica Status Solidi (c), Vol.2, No.7, 2267-2270 (2005).
  PDF(180KB)

• K.Nishida, Y.Kitamura, Y.Hijikata, H.Yaguchi, and S.Yoshida
  "Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films"
  Physica Status Solidi (b), vol.241, pp.2839-2842 (2004).
  PDF(156KB)

• K. Narita, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S.Yoshida, and S. Nakashima
  "Characterization of Carrier Concentration and Mobility in n-type SiC Wafers Using infrared reflectance spectroscopy"
  Jpn. J. Appl. Phys., vol.43, pp.5151-5156 (2004).
  PDF(172KB)

• K. Narita, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S.Yoshida, J. Senzaki and S. Nakashima
  "Characterization of electrical properties in high-dose implanted and post-implantation-annealed 4H-SiC wafers using infrared reflectance spectroscopy"
  Mater. Sci. Forum, vol.457-460, pp.905-908 (2004).
  PDF(208KB)

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, Y. Ishida, M. Yoshikawa, T. Kamiya and S.Yoshida
  "Photoemission Spectroscopic Studies on Oxide/SiC Interfaces Formed by Dry and Pyrogenic Oxidation "
  Mater. Sci. Forum, vol.457-460, pp.1341-1344 (2004).
  PDF(96KB)

• (in Japanese)中村健太郎、土方泰斗
  ファブリ・ペロ型光ファイバ超音波プローブの受音特性
  電気情報通信学会論文誌C, vol. J86-C, no. 12, pp.1340-1341 (2003).

• H. Yaguchi, T. Morioke, T. Aoki, Y. Hijikata, S. Yoshida, H. Akiyama, N. Usami, D. Aoki, K. Onabe
  "Improvement in the luminescence efficiency of GaAsN alloys by photoexcitation"
  Physica Status Solidi (c) Vol. 0, pp. 2782-2784.
  PDF(172KB)

• H. Kanaya, H. Yaguchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, S. Miyoshi, K. Onabe
  "Spectroscopic ellipsometry study on the dielectric functions of GaPN alloys"
  Physica Status Solidi (c) Vol. 0, pp. 2753-2756.
  PDF(404KB)

• 吉川正人、石田夕紀、直本保、土方泰斗、伊藤久義、奥村元、高橋徹夫、土田秀一、吉田貞史
  炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果
  電気情報通信学会論文誌C, J86-C (2003), pp.426-433.
  PDF (432K)

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa, and S. Yoshida
  "X-ray Photoelectron Spectroscopy Studies of Post Oxidation Process Effects on Oxide/SiC Interfaces,"
  Material Science Forum, vol.389-393, pp.1033-1036 (2002).
  PDF(204KB)

• Y. Ishida, T. Takahashi, H. Okumura, T. Jikimoto, H. Tsuchida, M. Yoshikawa, Y. Tomioka, M. Midorikawa, Y. Hijikata and S. Yoshida
  "The investigations of 4H-SiC/SiO₂ interfaces by optical and electrical measurements,"
  Material Science Forum, vol.389-393, pp.1013-1016 (2002).
  PDF(248KB)

• H. Yaguchi, K. Narita, Y. Hijikata, S. Yoshida, S. Nakashima, and N. Oyanagi
  "Spatial mapping of the carrier concentration and mobility in SiC wafers by micro Fourier-transfrom infrared spectroscopy,"
  Material Science Forum, vol.389-393, pp.621-624 (2002).
  PDF(192KB)

• Y. Tomioka, T. Iida, M. Midorikawa, H. Tukada, K. Yoshimoto, Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa, Y. Ishida, R. Kosugi and S. Yoshida
  "Characterization of the interfaces between SiC and oxide films by spectroscopic ellipsometry,"
  Material Science Forum, vol.389-393, pp.1029-1032 (2002).
  PDF(244KB)

• T. Iida, Y. Tomioka, K. Yoshimoto, M. Midorikawa, H. Tukada, Y. Hijikata, M. Orihara, H. Yaguchi, M. Yoshikawa, Y. Ishida, and S. Yoshida
  "Measurement of the depth profile of the refractive indices in the oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometry,"
  Jpn. J. Appl. Phys., vol.41, no.2A, pp.800-804 (2002).
  PDF (153K)

• S. Yoshida, T. Iida, Y. Tomioka, Y. Hijikata, M. Orihara, and H. Yaguchi
  "Depth Profiling of the Refractive Indices in Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry"
  Thin Films, pp.153-156 (2001).

• H. Yaguchi, S. Matsumoto, Y. Hijikata, S. Yoshida, T. Maeda, M. Ogura, D. Aoki and K. Onabe
  "Spectroscopic Ellipsometry Study on the Electronic Structure near the Absorption Edge of GaAsN Alloys"
  Phys. Stat. Sol. (b) Vol. 228, pp. 269-272 (2001).
  PDF (98K)

• H. Yaguchi, S. Kikuchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, D. Aoki and K. Onabe
  "Photoluminescence Study on Temperature Dependence of Band Gap Energy of GaAsN Alloys"
  Phys. Stat. Sol. (b) Vol. 228, pp. 273-277 (2001).
  PDF (130K)

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa and S. Yoshida
  "Composition Analysis of SiO₂/SiC Interfaces by Electron Spectroscopic Measurements using Slope Shaped Oxide Films,"
  Appl. Surf. Sci., vol. 184, pp. 161-166 (2001).
  PDF (236K)

• T. Iida, Y. Tomioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa, Y. Ishida, H. Okumura and S. Yoshida "Characterization of Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry,"
  Jpn.J.Appl.Phys., vol.39, pp.L1054-L1056 (2000).
  PDF(195KB)

国際会議

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, Y. Takata, K. Kobayashi, H. Nohira, and T. Hattori
  "Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide Interfaces"
  Inter. Conf. SiC Relat. Mater., (Pittsburg, USA, 2005.9).

• K. Kakubari, R. Kuboki, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  "Real Time Observation of SiC Oxidation using In-Situ Spectroscopic Ellipsometer"
  Inter. Conf. SiC Relat. Mater., (Pittsburg, USA, 2005.9).

• Y. Iwahashi, A. Nishimoto, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  "RF-MBE growth of cubic InN films on MgO(001) substrates"
  6th Inter. Conf. Nitride Semiconductor, (Bremen, Germany, 2005.8).

• H. Yaguchi, T. Morioke, T. Aoki, H. Shimizu, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, N. Usami, D. Aoki, and K. Onabe
  Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys
  6th International Conference on Nitride Semiconductors (Bremen, Germany, 2005. 8).

• S.Yoshida, Y.Kitamura, Y.Iwahashi, H.Tada, M.Orihara, Y.Hijikata, and H.Yaguchi
  "Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films by Gas Source Molecular Beam Epitaxy"
  7th China-Japan Symposium on Thin Films (China, 2004.9).

• Y.Hijikata, H.Yaguchi, S.Yoshida, Y.Takata, K.Kobayashi, S.Shin, H.Nohira, T.Hattori
  "Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Measurements using Synchrotron Radiation"
  European Conf. SiC Relat. Mater.,WeP1-67 (Bologna, Itary, 2004.9).

• H. Yaguchi, Y. Kitamura, K. Nishida, Y. Iwahashi, Y. Hijikata and S. Yoshida
  "Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular beam epitaxy"
  Int. Workshop on Nitride Semiconductors, (Pittsburgh, USA, 2004.7).

• K.Nishida, Y.Kitamura, Y.Hijikata, H.Yaguchi, and S.Yoshida
  "Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films"
  Int. Sympo. Blue Light LED (ISBLLED), (Gyeongju, Korea, 2004.3).

• S.Yoshida, K.Nishida, Y.Kitamura, M.Orihara, Y.Hijikata, and H.Yaguchi
  "Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films and Their Properties"
  Japanese-Spanish-German Workshop 2004 on Recent Progress in Advanced Materials, Devices, Processing and Characterization (Ohita, Japan, 2004.3).

• K. Narita, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S.Yoshida, J. Senzaki and S. Nakashima
  "Characterization of electrical properties in high-dose implanted and post-implantation-annealed 4H-SiC wafers using infrared reflectance spectroscopy"
  10th Inter. Conf. SiC Relat. Mater., TuP4-9 (Lyon, France, 2003.10).

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, Y. Ishida, M. Yoshikawa, T. Kamiya and S.Yoshida
  "Photoemission Spectroscopic Studies on Oxide/SiC Interfaces Formed by Dry and Pyrogenic Oxidation "
  10th Inter. Conf. SiC Relat. Mater., MoP3-10 (Lyon, France, 2003.10).

• H. Yaguchi, T. Morioke, T. Aoki, Y. Hijikata, S. Yoshida, H. Akiyama, N. Usami, D. Aoki, K. Onabe
  Improvement in the luminescence efficiency of GaAsN alloys by photoexcitation
  5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, Japan, 2003. 5).

• H. Kanaya, H. Yaguchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, S. Miyoshi, K. Onabe
  Spectroscopic ellipsometry study on the dielectric functions of GaPN alloys
  5th International Conference on Nitride Semiconductors (Nara, Japan, 2003. 5).

• Y. Hijikata, Satoshi Kawato, S. Sekiguchi, H. Yaguchi, Y. Ishida, M. Yoshikawa, T. Kamiya and S. Yoshida
  "Photoemission Spectroscopy and In-Situ Spectroscopic Ellipsometry Studies on the Ar Post-Oxidation-Annealing Effects of Oxide/SiC Interfaces"
  Proc. Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, (Awaji island, Japan) Mav06, pp.127-132.
  PDF (580K)

• H. Yaguchi, M. Baba, H. Akiyama, D. Aoki, K. Onabe, Y. Hijikata and S. Yoshida
  "Time-Resolved Photoluminescence Study of GaAsN Alloys"
  International Workshop on Nitride Semiconductors (Aachen, Germany) 2002. 7

• H. Yaguchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Baba, H. Akiyama, D. Aoki and K. Onabe
  "Time-resolved photoluminescence of GaAsN alloys grown by metalorganic vapor phase epitaxy"
  21st Electronic Materials Symposium (I6) (Izu-Nagaoka) 2002. 6

• S. Yoshida, Y. Tomioka, M. Midorikawa,Y. Hijikata, and H. Yaguchi
  "Characterization of Oxide/SiC Interfaces by Spectroscopic Ellipsometry and XPS"
  Japanese-Spanish-German Workshop 2002 on Recent Progress in Advanced Materials, Devices, Processing and Characterization (Cordoba, Spain) 2002.3

• S. Yoshida, T. Iida, Y. Tomioka, Y. Hijikata, M. Orihara, and H. Yaguchi
  "Depth Profiling of the Refractive Indices in Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry"
  6th China-Japan Symposium on Thin Films (Kunming, China) 2001. 11

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa, and S. Yoshida
  "x-ray photoelectron spectroscopy studies of post oxidation process effects on oxide/SiC interfaces,"
  Int. Conf. SiC & Rela. Mater. (ICSCRM), WeP-66, p.755, 2001.11.

• Y. Ishida, T. Takahashi, H. Okumura, T. Jikimoto, H. Tsuchida, M. Yoshikawa, Y. Tomioka, M. Midorikawa, Y. Hijikata and S. Yoshida
  "The investigations of 4H-SiC/SiO₂ interfaces by optical and electrical measurements,"
  Int. Conf. SiC & Rela. Mater. (ICSCRM), ThP-66, p.777, 2001.11.

• H. Yaguchi, K. Narita, Y. Hijikata, S. Yoshida, S. Nakashima, and N. Oyanagi
  "Spatial mapping of the carrier concentration and mobility in SiC wafers by micro Fourier-transfrom infrared spectroscopy,"
  Int. Conf. SiC & Rela. Mater. (ICSCRM), WeP-80, p.769, 2001.11.

• Y. Tomioka, T. Iida, M. Midorikawa, H. Tukada, K. Yoshimoto, Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa, Y. Ishida, R. Kosugi and S. Yoshida
  "Characterization of the interfaces between SiC and oxide films by spectroscopic ellipsometry,"
  Int. Conf. SiC & Rela. Mater. (ICSCRM), ThB2-6, pp.531-532, 2001.11.

• H. Yaguchi, S. Kikuchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, D. Aoki and K. Onabe
  "Photoluminescence Study on Temperature Dependence of Band Gap Energy of GaAsN Alloys"
  The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) (Denver, USA) 2001. 7.

• H. Yaguchi, S. Matsumoto, Y. Hijikata, S. Yoshida, T. Maeda, M. Ogura, D. Aoki and K. Onabe
  "Spectroscopic Ellipsmemtry Study on the Electronic Structure Near the Absorption Edge of GaAsN Alloys"
  The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) (Denver, USA) 2001. 7.

• H. Yaguchi, T. Nakamura, Y. Hijikata, S. Yoshida, K. Kojima, X. Shen and H. Okumura
  "Persistent Photoconductivity in Si-Doped n-Type GaN"
  The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) (Denver, USA) 2001. 7.

• H. Yaguchi, S. Kikuchi, Y. Hijikata, S. Yoshida, D. Aoki and K. Onabe
  "Temperature dependence of photoluminescence of GaAsN alloys,"
  20th Electronic Materials Symposium (C4) (Nara) 2001. 6.

• Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa and S. Yoshida
  "Composition Analysis of SiO₂/SiC Interfaces by Electron Spectroscopic Measurements using Slope Shaped Oxide Films,"
  E-MRS spring meeting, F-II.6, p.F-5, Jury, 2001.

• T. Iida, Y. Tomioka, K. Matsunaka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, M. Yoshikawa, Y. Ishida, H. Okumura and S. Yoshida
  "Characterization of Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometer",
  Extended Abstracts of 1st Intern. Workshop on Ultra-Low-Loss Power Device Technology, pp.203-204, May, 2000.

国内発表

• 大石慎吾、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会 (京都, 2005.11).
• 窪木亮一、覚張 光一、橋本英樹、土方 泰斗、矢口 裕之、吉田 貞史
  分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価 - 紫外領域への拡張 -
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会 (京都, 2005.11).
• 覚張光一、窪木亮一、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  In-situ エリプソメータによるSiC の酸化の実時間観察
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会 (京都, 2005.11).

• 矢口裕之，清水博史，森桶利和，青木貴嗣，土方泰斗，吉田貞史，宇佐美徳隆，吉田正裕，秋山英文，青木大一郎，尾鍋研太郎 ラマン分光を用いたGaAsN混晶の光照射による構造変化の評価
  第66回応用物理学会学術講演会 (9p-ZA-18) (徳島) 2005. 9. 9
• 折原　操，岩橋洋平，平野　茂，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史 RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製（II）
  第66回応用物理学会学術講演会 (10a-R-7) (徳島) 2005. 9. 10
• 平野　茂，岩橋洋平，折原　操，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史 RF-MBE法を用いた中間組成InGaN膜上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
  第66回応用物理学会学術講演会 (10a-R-8) (徳島) 2005. 9. 10
• 大石慎吾，土方泰斗，矢口祐之，吉田貞史 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
  第66回応用物理学会学術講演会 (8a-ZB-6) (徳島) 2005. 9. 8
• 土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史，高田恭孝，小林啓介，野平博司，服部健雄 低オフ角C面SiC基板上の酸化膜の評価
  第66回応用物理学会学術講演会 (8p-ZB-17) (徳島) 2005. 9. 8
• 窪木亮一，覚張光一，土方泰斗，矢口裕之，吉田貞史 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-
  第66回応用物理学会学術講演会 (8p-ZB-18) (徳島) 2005. 9. 8

• 大石慎吾、土方、矢口、吉田
  “赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価”
  第52回応用物理学関係連合講演会（さいたま）
• 覚張光一、窪木亮一、土方、矢口、吉田
  “In situエリプソメータによるSiCの酸化膜の実時間観察”
  第52回応用物理学関係連合講演会（さいたま）
• 土方、矢口、吉田、高田恭孝、小林啓介、野平博司、服部健雄
  “様々な傾斜角を有するSiC基板上の酸化膜の評価”
  第52回応用物理学関係連合講演会（さいたま）
• 折原、北村芳広、岩橋洋平、平野茂、土方、矢口、吉田
  “RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製”
  第52回応用物理学関係連合講演会（さいたま）
• 花島君俊、森桶利和、青木貴嗣、土方、矢口、吉田、吉田正裕、秋山英文、平山琢、片山竜二、尾鍋研太郎
  “窒素をδドープしたGaAsの顕微フォトルミネッセンス”
  第52回応用物理学関係連合講演会（さいたま）

• 覚張光一、土方、矢口、吉田
  “分光エリプソメータによるSiCの初期酸化過程の観察”
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会, P-61, p.127 (名古屋, 2004.10).
• 土方、矢口、吉田、高田恭孝、小林啓介、辛埴、野平博司、服部健雄
  “高エネルギー分解能光電子分光による4H-SiC(000-1)面上酸化膜の評価”
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会, P-62, p.129 (名古屋, 2004.10).
  

• 覚張光一、土方、矢口、吉田
  “分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の初期酸化過程の観察(IV)”
  平成16年秋季応物講演会, 3p-K-5, p.329.
• 本村寛、土方、矢口、吉田、飛田聡、西尾晋、片山竜二、尾鍋研太郎
  “ラマン分光法によるInAsN混晶の評価”
  平成16年秋季応物講演会, 3p-W-8, p.308.
• 森桶利和、青木貴嗣、呉智元、吉田正裕、秋山英文、土方、矢口、吉田、青木大一郎、尾鍋研太郎
  “レーザー照射によるGaAsN混晶の発光効率向上の窒素濃度依存性”
  平成16年秋季応物講演会, 3p-W-7, p.308.
• 青木貴嗣、森桶利和、土方、矢口、吉田、張保平、三吉靖郎、尾鍋研太郎
  “低窒素濃度GaPN混晶のフォトルミネッセンス”
  平成16年秋季応物講演会, 3p-W-9, p.309.
• 多田宏之、北村芳広、岩橋洋平、折原、土方、矢口、吉田
  “RF-MBE法によるMgO(001)基板上への立方晶GaNの成長”
  平成16年秋季応物講演会, 2p-T-9, p.290.
• 岩橋洋平、北村芳広、多田宏之、折原、土方、矢口、吉田
  “RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(III)”
  平成16年秋季応物講演会, 2p-W-8, p.299.
• 北村芳広、岩橋洋平、多田宏之、折原、土方、矢口、吉田
  “RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInNの結晶成長”
  平成16年秋季応物講演会, 2p-W-13, p.301.
• 折原、北村芳広、岩橋洋平、多田宏之、土方、矢口、吉田
  “RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInGaN結晶成長”
  平成16年秋季応物講演会, 2p-W-14, p.301.
  

• 北村芳広、西田謙二、三浦輝人、岩橋洋平、折原、土方、矢口、吉田
  “RF-MBE法を用いた3C-SiC(100)基板上へのInNの結晶成長”
  平成16年春季応物関連講演会, 29p-YN-7, p.392.
• 西田謙二、三浦輝人、北村芳広、岩橋洋平、折原、土方、矢口、吉田
  “RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(II)”
  平成16年春季応物関連講演会, 29p-YN-8, p.392.
• 金谷大、土方、矢口、吉田、張保平、三吉靖郎、尾鍋研太郎
  “GaP_1-xN_x混晶のフォトルミネッセンススペクトルの励起強度依存性”
  平成16年春季応物関連講演会, 30p-YG-19, p.354.
• 青木貴嗣、森桶利和、呉智元、秋山英文、土方、矢口、吉田、青木大一郎、尾鍋研太郎
  “極低窒素濃度GaAsN混晶からのフォトルミネッセンス”
  平成16年春季応物関連講演会, 30p-YG-8, p.351.
• 土方、矢口、吉田、高田恭孝、小林啓介、辛埴、野平博司、服部健雄
  “シンクロトロン放射光を用いた角度分解光電子分光法によるSiC(000-1)エピ面上酸化膜の評価”
  平成16年春季応物関連講演会, 29p-ZM-1, p.432.
• 覚張光一、関口聡、土方、矢口、吉田
  “分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の初期酸化過程観察(III)”
  平成16年春季応物関連講演会, 29p-ZM-3, p.433.
  

• 関口聡, 土方, 矢口, 吉田
  分光エリプソメータによるSiC上の初期酸化過程観察
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会(奈良, 2003.11).
• 土方, 矢口, 石田夕起, 吉川正人, 神谷富裕, 吉田
  光電子分光法による酸化膜/SiC 界面の評価
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 (奈良, 2003.11).
• 成田勝俊, 土方, 矢口, 中嶋信一, 先崎純寿, 吉田
  赤外反射分光による4H-SiCのイオン注入層の結晶性及び電気特性の評価
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 (奈良, 2003.11).
  

• 三浦輝人、西田謙二、北村芳広、折原、土方、矢口、吉田
  “窒素プラズマ及びNH₃を組み合わせた3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長”
  平成15年秋季応物講演会, 1p-G-18, p.322.
• 西田謙二、三浦輝人、北村芳広、岩橋洋平、土方、矢口、吉田
  “RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長”
  平成15年秋季応物講演会, 31p-G-8, p.304.
• 本村寛、土方、矢口、吉田、飛田聡、尾鍋研太郎
  “ラマン分光法によるGaInNAs混晶の結晶構造の評価”
  平成15年秋季応物講演会, 1p-K-15, p.281.
• 森桶利和、青木貴嗣、呉智元、馬場基芳、秋山英文、土方、矢口、吉田、青木大一郎、尾鍋研太郎
  “GaAs基板上に成長したGaAsN混晶のフォトルミネッセンス”
  平成15年秋季応物講演会, 1p-K-8, p.278.
• 青木貴嗣、森桶利和、呉智元、秋山英文、土方、矢口、吉田、青木大一郎、尾鍋研太郎
  “希薄GaAsN混晶のフォトルミネッセンス”
  平成15年秋季応物講演会, 1p-K-7, p.278.
• 関口聡、土方、矢口、吉田
  “分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の初期酸化過程観察(II)”
  平成15年秋季応物講演会, 2a-B-3, p.355.
• 土方、矢口、吉田、高田恭孝、小林啓介、辛埴、野平博司、服部健雄
  “SPring-8, 分光エリプソメトリ, C-V法による4H及び 6H-SiC上酸化膜の評価”
  平成15年秋季応物講演会, 2a-B-4, p.355.
  

• 成田勝俊、土方、矢口、吉田、中島信一、先崎純寿、山本武継
  “赤外反射分光による4H-SiCのイオン注入層の厚さおよび電気特性の評価”
  平成15年春季応物関連講演会, 29a-ZB-5, p.447.
• 土方、矢口、石田夕紀、吉川正人、神谷富裕、吉田
  “酸化膜/SiC界面層に対する酸化後処理のUPS評価”
  平成15年春季応物関連講演会, 29p-ZB-1, p.450.
• 関口聡、川戸郷史、吉田聡、土方、矢口、吉田
  “In Situ分光エリプソメータによる酸化膜/SiC界面の光学的評価”
  平成15年春季応物関連講演会, 29p-ZB-2, p.451.
• 吉川正人、石田夕紀、直本保、土方、神谷富裕、奥村元、土田秀一、吉田
  “SiC MOS構造酸化膜の電気特性に及ぼす微量水分の効果”
  平成15年春季応物関連講演会, 29p-ZB-5, p.452.
• 金谷大、土方、矢口、吉田、三吉、尾鍋研太郎
  “GaPN混晶の誘電関数の温度依存性”
  平成15年春季応物関連講演会, 30a-YA-12, p.378.
• 三浦輝人、西田謙二、佐々木哲也、中田智成、折原、土方、矢口、吉田
  “NH₃を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(VII)”
  平成15年春季応物関連講演会, 30a-V-4, p.434.
• 矢口、森桶利和、青木貴嗣、土方、吉田、宇佐見徳隆、秋山英文、青木大一郎、尾鍋研太郎
  “レーザ照射によるGaAsN混晶の発光効率の向上”
  平成15年春季応物関連講演会, 30a-YA-1, p.374.
  

• 成田、土方、矢口、吉田、中島
  “赤外反射分光による6H-SiCウェハのキャリア濃度および移動度の評価”
  第11回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, IV-12, p.59.
• 土方、矢口、石田、吉川、神谷、吉田
  “紫外線光電子分光法によるドライ酸化膜/4H-SiC界面の評価”
  第11回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, II-17, p.31.
• 関口、川戸、吉田、土方、矢口、吉田
  “分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の酸化初期過程観察”
  第11回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, II-15, p.29.
• 緑川、土方、矢口、吉川、神谷、吉田
  “分光エリプソメータによるSiC/酸化膜界面の評価(II)”
  第11回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, II-14, p.28.
• 吉川、直本、土方、緑川、石田、土田、関口、奥村、神谷、吉田
  “アルゴンアニーリングしたドライ酸化膜/SiC界面の物理特性とその電気特性の関連性について”
  第11回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, II-13, p.27.
  

• 佐々木、三浦、中田、西田、折原、土方、矢口、吉田
  “NH₃を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(VI)”
  平成14年秋季応物講演会, 25p-YG-5/I, p.323.
• 成田、土方、矢口、吉田、中島
  “赤外反射分光によるSiCウェハのキャリア濃度および移動度の評価(II)”
  平成14年秋季応物講演会, 24p-P3-7/I, p.428.
• 土方、関口、成田、矢口、吉田
  “分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の酸化初期過程観察”
  平成14年秋季応物講演会, 25a-P7-22/I, p.365.
• 緑川、土方、矢口、吉川、伊藤、吉田
  “分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価(III)”
  平成14年秋季応物講演会, 25a-P7-23/I, p.365.
• 土方、矢口、石田、吉川、伊藤、吉田
  “酸化膜/SiC界面層に対する酸化後処理の影響についてのXPS評価(II)”
  平成14年秋季応物講演会, 25a-P7-24/I, p.365.
• 直本、土田、石田、高橋、奥村、緑川、関口、土方、吉田、吉川
  “FTIR-ATRによる酸化膜/SiC界面構造の解明”
  平成14年秋季応物講演会, 25a-P7-25/I, p.366.
• 吉川、伊藤、石田、高橋、奥村、直本、土田、緑川、土方、関口、吉田
  “ドライ酸化膜を用いて作製した4H-SiC MOS構造のCV特性”
  平成14年秋季応物講演会, 25a-P7-27/I, p.366.
• 金谷、土方、矢口、吉田、三吉、尾鍋
  “分光偏光解析によるGaP_1-xN_x混晶半導体の光学定数の評価”
  平成14年秋季応物講演会, 24a-YD-11/I, p.276.
• 西原、松本、土方、矢口、吉田、青木、片山、尾鍋
  “GaAsN混晶のラマン測定”
  平成14年秋季応物講演会, 24p-YD-3/I, p.277.
  

• 成田、土方、矢口、吉田、中島、中武
  “赤外反射分光によるSiCウェハのキャリア濃度および移動度の評価”
  平成14年春季応物連合関連講演会, 29a-ZR-4/I, p.428.
• 佐々木、渡邊、中田、小川、折原、土方、矢口、吉田
  “NH₃を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(V)”
  平成14年春季応物連合関連講演会, 28p-ZM-26/I, p.377.
• 中田、松原、佐々木、渡邊、折原、土方、矢口、吉田
  “ガスソースMBE法によるSi(111)基板上へのGaN膜の成長”
  平成14年春季応物連合関連講演会, 30a-ZM-16/I, p.404.
• 緑川、富岡、土方、矢口、吉川、伊藤、石田、吉田
  “分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価(II)”
  平成14年春季応物連合関連講演会, 29p-ZR-10/I, p.433.
• 西原、松本、土方、矢口、吉田、青木、片山、尾鍋
  “GaAsN混晶のフォトリフレクタンス”
  平成14年春季応物連合関連講演会, 28p-ZQ-6/I, p.330.
• 土方、矢口、吉川、伊藤、吉田
  “酸化膜/SiC界面層に対する酸化後処理の影響についてのXPS評価”
  平成14年春季応物連合関連講演会, 29p-ZR-9/I, p.433.
• 矢口、秋山、馬場、青木、尾鍋、土方、吉田
  “GaAsN混晶の時間分解フォトルミネッセンス(II)”
  平成14年春季応物連合関連講演会, 28p-ZQ-13/I, p.332.
  

• 成田、土方、矢口、吉田、その他：第10回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  “赤外反射分光によるSiC基板のキャリア濃度および移動度の分布測定”, P34, p.50 (2001.12).
• 富岡、土方、矢口、吉田、その他：第10回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  “分光エリプソメータによるSiC/酸化膜界面の評価”, P50, p.66 (2001.12).
• 土方、矢口、吉田、その他：第10回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  “酸化膜/SiC界面における酸化後処理効果のXPS評価”, P51, p.67 (2001.12).

• 土方、富岡、矢口、吉田、その他：平成１３年秋季応用物理学会
  “電子分光法によるSiO₂/SiC界面層の組成分析”, 14a-S-9, p.321.
• 富岡、土方、矢口、吉田、その他：平成１３年秋季応用物理学会
  “分光エリプソメータによるSiO₂/SiC界面の光学的評価”, 14a-S-8, p.320.
• 渡邊、土方、矢口、吉田、その他：平成１３年秋季応用物理学会
  
  “NH₃を窒素源とした3C-SiC(001)上への立方晶GaNのMBE成長(IV) ”, 11a-Q-9, p.255.

• 飯田、土方、矢口、吉田、その他：平成１３年春季応用物理学会
  “分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の屈折率の評価”, 30a-E-4/I, p.461.
• 富岡、土方、矢口、吉田、その他：平成１３年春季応用物理学会
  “分光エリプソメータによるSiC上のLTO膜の評価”, 30a-E-5/I, p.461.
• 渡邊、土方、矢口、吉田、その他：平成１３年春季応用物理学会
  “NH₃を窒素源とした3C-SiC(001)上への立方晶GaNのMBE成長(III) ”, 31a-M-7/I, p.427.
• 鈴木、土方、矢口、吉田、その他：平成１３年春季応用物理学会
  “立方晶AlGaN混晶の低温分光エリプソメトリ測定 ”, 31a-M-9/I, p.428.
• 松本、土方、矢口、吉田、その他：平成１３年春季応用物理学会
  “分光偏光解析法を用いたGaPN混晶の光学的評価(II)”, 31a-G-3/I, p.359.
• 土方、矢口、吉田、その他：平成１３年春季応用物理学会
  “走査オージェ電子分光法によるSiO₂/SiC界面層の組成分析”, 30a-E-2/I, p.461.
• 矢口、土方、吉田、その他：平成１３年春季応用物理学会
  “GaAsN混晶のフォトルミネッセンスの温度依存性”, 31a-G-2/I, p.359.
  

• 土方、飯田、矢口、吉川、吉田：第9回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  “走査オージェ電子分光法によるSiO₂/SiC界面の組成分析”, P52, p.67.
• 飯田、土方、矢口、吉川、吉田：第9回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  “分光エリプソメータによるSiC酸化膜の屈折率の評価”, P47, p.62.
  

• 土方、飯田、矢口、吉田、その他：平成１２年秋季応用物理学会
  “X線光電子分光法によるSiO₂/SiC界面層の組成分析”, 4a-ZB-1/I, p.341.
• 飯田、土方、矢口、吉田、その他：平成１２年秋季応用物理学会
  “分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の評価(II)”, 5a-ZB-6/I, p.347.
• 小川、渡邊、土方、矢口、吉田、その他：平成１２年秋季応用物理学会
  “NH₃を窒素源とした3C-SiC(001)基板上への立方晶GaNのMBE成長(II)”, 4a-Y-19/I, p.294.
• 松本、矢口、土方、吉田、その他：平成１２年秋季応用物理学会
  “分光偏光解析法を用いたGaPN混晶の光学的評価”, 5p-ZA-12/I, p.275.
• 矢口、土方、吉田、その他：平成１２年秋季応用物理学会
  “GaAsN混晶の時間分解フォトルミネッセンス”, 5p-ZA-9/I, p.274.
  

• 飯田、土方、矢口、吉田、その他：平成１２年春季応用物理学会
  “分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の評価”, 30p-YF-13/I, p. 418.
  

• 飯田、土方、矢口、吉田、その他：第８回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
  “分光エリプソメーターによるSiC酸化膜の評価”, P34, p. 47, Dec. 1999.

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